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| 供货周期 | 一周 | 应用领域 | 化工 |
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石墨烯场效应晶体管芯片S10，GFET-S10
中文名称：石墨烯场效应晶体管芯片S10（GFET-S10）
英文名称：Graphene Field-Effect Transistor chip S10
cas号：7440-44-0
芯片尺寸：10mm x10mm
芯片厚度 ：675μm
每个芯片的GFET数量：36
栅氧化层厚度：90nm
栅极氧化物材料：SiO2
基体电阻率：1-10Ω.cm
Dirac点：＜50 V
良率：＞75%
石墨烯场效应迁移率：＞1000cm2/V.
应用：石墨烯器件研究，化学传感器，生物传感器，生物电子学，磁传感器，光电探测器。
保存条件：常温干燥避光，密封保存
石墨烯场效应晶体管芯片S10，GFET-S10
GFET-S10芯片提供36个石墨烯器件，以网格模式分布在芯片上。30 个器件具有霍尔棒几何形状，6个器件具有2探头几何形状。霍尔棒器件可用于霍尔棒测量以及4探头和2探头设备。石墨烯通道尺寸各不相同，可以研究几何形状对器件特性的依赖性。
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以上资料来自西安昊然生物小编JMY 2023.12.6.
以上文中提到的产品仅用于科研，不能用于人体及其他用途。
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