鎵鈦共摻雜氧化鋅半導(dǎo)體薄膜(GZO:Ti)

時間：2024/2/26閱讀：383

鎵鈦共摻雜氧化鋅半導(dǎo)體薄膜(GZO:Ti)

【詳細(xì)信息】

鎵鈦共摻雜氧化鋅（GZO:Ti）薄膜是一種半導(dǎo)體材料，通常應(yīng)用于透明導(dǎo)電膜、光電子器件、薄膜晶體管等領(lǐng)域。

制備方法： GZO:Ti薄膜的制備方法可以采用物理氣相沉積（PVD）、濺射沉積、溶液法等。選擇適當(dāng)?shù)闹苽浞椒赡苋Q于應(yīng)用需求和薄膜性質(zhì)的要求。

摻雜濃度：調(diào)節(jié)鎵和鈦的摻雜濃度可以影響GZO:Ti薄膜的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)。優(yōu)化摻雜濃度是提高薄膜性能的關(guān)鍵。

透明性： GZO:Ti薄膜通常被設(shè)計為透明導(dǎo)電膜，因此了解薄膜在可見光和近紅外光譜范圍內(nèi)的透明性是非常重要的。

電學(xué)性質(zhì)：研究GZO:Ti薄膜的電學(xué)性質(zhì)，如電導(dǎo)率、載流子濃度等，對于透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用是關(guān)鍵的。

光學(xué)性質(zhì)：了解GZO:Ti薄膜的光學(xué)性質(zhì)，包括吸收譜、透射譜、折射率等，對于光電子器件的設(shè)計和優(yōu)化是重要的。

【基本信息】

中文名稱：鎵鈦共摻雜氧化鋅半導(dǎo)體薄膜

英文名稱：GZO:Ti

純度：99%

保存時間：1年

包裝：瓶裝/袋裝

儲藏條件：-20°C 下避光保存

用途：僅用于科研，不能用于人體

【定制產(chǎn)品】

Al2(WO4)3薄膜

TiO2-CeO2薄膜

HfSiON高k柵介質(zhì)薄膜

(Ba0.7Sr0.3)TiO3鐵電薄膜(BST)

Pb(Zr0.52Ti0.48)O3鐵電薄膜(PZT)

SnS薄膜

Yb2O3薄膜

以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.2.26.

以上文中提到的產(chǎn)品僅用于科研，不能用于人體及其他用途。

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