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二維納米Ga2In4S9晶體，鎵銦化硫晶體
Ga2In4S9是一種多元化合物，由鎵（Ga）、銦（In）和硫（S）元素組成。它的晶體結構呈現出二維形態(tài)，這種結構特征使得它具有一些物理、光學和電學性質。
二維納米Ga2In4S9晶體的特性和應用潛力在研究中逐漸受到關注。雖然關于這種材料的詳細特性和應用尚處于探索階段，但其中一些潛在的特性可能包括：
光學性質：Ga2In4S9晶體可能因其二維結構而顯示出光學性質。對于這種材料的光學特性，尤其是在可見光譜范圍內的吸收和發(fā)射行為，可能具有一些特點，例如特定波長下的發(fā)光性質。
電學性質：作為一種多元化合物，Ga2In4S9可能表現出一定的半導體特性，具有在電子器件和光電子器件中應用的潛力。其電學性質可能使其適用于太陽能電池、傳感器等領域。
應用潛力：這種二維納米晶體可能在光電子學、納米電子學和光催化等領域具有應用潛力。然而，對于其實際應用的研究和探索仍處于初步階段。
中文名稱：二維納米Ga2In4S9晶體，鎵銦化硫晶體
英文名稱：Ga2In4S9晶體
純度：99.9%
存儲：-20℃冷藏、密封、避光
保存時間：1年
規(guī)格：mg
包裝：瓶裝/袋裝
【定制產品：】
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以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2024.1.16.
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