仪器简介：

日本AET微波(高频)介电常数测试仪, 利用微波技术结合高Q腔以及3D电磁场模拟技术，采用德国CST公司的3D电磁类比软件MW-StudioTM，测量材料的高频介电常数，此方法保证了介电常数测量结果的精确性。

技术参数：

可测试频率范围： 800M～9.4GHz

介电常数Epsilon：1-15，   准确度： ±1%，

介电损耗tangent delta：0.1-0.001，  准确度：±5%

共有两种同轴共振腔，每个腔可测五个频点:
TyPe A：  0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz

TyPe B:    1/3/5/7/9GHz  

主要特点：

同轴共振腔适用于不同形状样品。

包括薄膜样品的非破坏性测量，使用简易的逐步操作，内置的反馈振荡器电路可实现精确的量测。

应用领域：

高速数字/微波电路用基底材料 ；滤波器和介电天线用低损耗电介质 ；化学制品；

薄膜与新材料；半导体材料；电子材料（包括CCL和PCB）

陶瓷材料；纳米材料；光电材料等

日本AET介电常数测定仪 无损诱电率测定装置