德Innolume 超级发光二极管(SLD),类似于激光二极管，超辐射发光二极管基于电驱动的pn结，当正向偏置时，该pn结变成光学活性的，并在宽波长范围内产生放大的自发辐射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计成对于沿波导产生的自发辐射具有高的单程放大，但是与激光二极管不同，不足以反馈来实现激光作用。
德国Innolume 超级发光二极管(SLD),类似于激光二极管，超辐射发光二极管基于电驱动的pn结，当正向偏置时，该pn结变成光学活性的，并在宽波长范围内产生放大的自发辐射。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流水平。SLD被设计成对于沿波导产生的自发辐射具有高的单程放大，但是与激光二极管不同，不足以反馈来实现激光作用。这是通过倾斜波导和抗反射涂层小平面的联合作用获得的。
SLD是具有相当宽的光学带宽的光源。因为它们不同于光谱非常窄的激光器和光谱宽度大得多的白光源。这一特性主要反映在光源的低时间相干性上(这是发射光波随时间保持相位的有限能力)。然而，SLD可以表现出高度的空间相干性，这意味着它们可以有效地耦合到单模光纤中。一些应用利用SLDs源的低时间相干性来实现成像技术中的高空间分辨率。相干长度是经常用来表征光源的时间相干性的量。它与光干涉仪两臂之间的光程差有关，光波在该光程差上仍能产生干涉图样。
一方面，SLD是被优化以产生大量放大自发辐射(ASE)的半导体器件。为此，它们集成了高功率增益部分，其中种子自发辐射以30 dB或更高的高增益系数放大。另一方面，SLD缺乏光学反馈，因此不会发生激光作用。通过相对于波导倾斜刻面来抑制由来自光学部件(例如进入腔内的连接器)的光的背反射产生的光学反馈，并且可以用抗反射涂层来进一步抑制。避免了谐振器模式的形成以及光谱中的明显结构和/或光谱变窄。
| Part number | Mean
wavelength | Bandwith
FWHM | Output
power | Operating
current | Forward
voltage | Ripples
RMS1 | PER |
|---|
| nm | nm | mW | mA | V | dB | dB |
|---|
| SLD-1000-100-YY-15 | 1000 | 100 | 15 | 400 | 1.6 | 0.05 | 20 |
| SLD-1030-25-YY-130 | 1030 | 25 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 21 |
| SLD-1030-110-YY-12 | 1030 | 110 | 12 | 400 | 1.7 | 0.02 | 19 |
| SLD-1050-120-YY-40 | 1055 | 120 | 40 | 700 | 1.7 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-20-YY-120 | 1060 | 20 | 120 | 800 | 1.8 | 0.05 | 20 |
| SLD-1060-15-YY-300 | 1060 | 15 | 300 | 1700 | 2.0 | 0.3 | 21 |
| SLD-1064-20-YY-350 | 1064 | 20 | 350 | 850 | 1.9 | 0.8 | 18 |
| SLD-1090-30-YY-100 | 1090 | 30 | 100 | 800 | 1.7 | 0.05 | 16 |
| SLD-1120-20-YY-30 | 1120 | 20 | 30 | 300 | 1.5 | 0.05 | 20 |
| SLD-1140-80-YY-0.5 | 1140 | 80 | 0.5 | 250 | 1.3 | 0.05 | 19 |
| SLD-1190-90-YY-0.5 | 1190 | 90 | 0.5 | 315 | 1.4 | 0.02 | 19 |
| SLD-1250-110-YY-4 | 1250 | 110 | 4 | 800 | 1.5 | 0.05 | 19 |
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