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当前位置：> 供求商机> 半导体分立器件测试系统
1．技术性能指标
1. 物理指标：设备尺寸（mm）：800(宽)×600(长)×1800(高)mm；
2．电学指标
主极电压2000V
主极电流2500A
控制极电压20V
控制极电流10A
电压分辨率1mV
电流分辨率100pA
测试速度5mS/参数
晶体管：TRANSISTOR（NPN 型/PNP 型）
测试参数：ICBO（发射极开路时集电极-基极的反向电流）、ICEO（集电极-发射极漏流）、IEBO（发射极
-基极间的漏流）、BVCEO（集电极-发射极的击穿电压）、BVCBO（集电极-基极的击穿电压）、BVEBO（发
射极-基极的击穿电压）、hFE（放大倍数）、VCESAT（集电极-发射极间的饱和压降）、VBESAT（基极-发
射极间的饱和压降）、VBE(基极-发射极间的非饱和压降)
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