原子層沉積表面改性設備分子涂層

現場升級到可使用等離子體

從小晶片到200mm大晶片

適用于學術、產業(yè)、研發(fā)的熱和/或等離子體化學產品，可用于：

氧化物： HfO2, Al2O3, TiO2, SiO2, ZnO, Ta2O5
氮化物：TiN, Si3N4
金屬： Ru, Pt

ALD應用舉例：

納米電子學

高k柵極氧化物

存儲電容器絕緣層-銅連線間的高縱橫比擴散勢壘區(qū)

有機發(fā)光二極管和聚合物的無針孔鈍化層

鈍化晶體硅太陽能電池

應用于微流體和MEMS的高保形涂層

納米孔結構的涂層

生物微機電系統(tǒng)

燃料電池

直觀性強的的軟件提高性能

使用與牛津儀器的值得信賴的Plasmalab ®產品家族相同的軟件平臺， OpAL的程序驅動、多用戶級別、PC2000TM控制的軟件易于操作且可為快速ALD做相應修改。

原子層沉積表面改性設備分子涂層             

牛津儀器向世界范圍內的生產商和研發(fā)者提供沉積工藝解決方案的經驗為我們提供了世界上強大沉積工藝庫和沉積工藝能力。以下是牛津儀器等離子技術可以提供的一些沉積工藝的一個范例。討論您的特定需求，我們專業(yè)的銷售和應用工作人員將很高興幫助您選擇合適的沉積工藝和工具，以滿足您的需求。

電介質

沉積SiO2—沉積二氧化硅

沉積SiN—沉積氮化硅

二氧化硅(SiO2)的反應離子束濺射沉積(RIBD)技術

金屬氮化物

沉積HfN—沉積氮化鉿（遠程等離子體*輔助）

金屬氧化物

沉積Al2O3-沉積三氧化二鋁

高品質光學鍍膜：二氧化硅，二氧化鈦，五氧化二鉭

二氧化鉿反應離子束沉積（HfO2 RIBD）

沉積La2O3—沉積氧化鑭

離子束沉積VaO( 5 - x )--沉積氧化釩 Deposition

沉積TiO2—沉積二氧化鈦—離子束沉積

ZnO ALD（單熱型）—沉積氧化鋅原子層

沉積ITO—沉積銦錫氧化物—磁控濺射

金屬

濺射沉積Al—濺射沉積鋁

沉積Ru—沉積釕

其他

沉積a-Si—沉積非晶硅（等離子體增強化學氣相沉積）

等離子體增強化學氣相沉積和化學氣相沉積SiGe—沉積鍺硅

沉積PolySi—沉積多晶硅

沉積SiC—沉積碳化硅

等離子體增強化學氣相沉積DLC—沉積類金剛石膜