采用索尼Pregius S背照（BSI）技術傳感器，在減小相機體積的同時確保量子效率。200 nm波段量子效率高于25%，整個UVA和UVB波段量子效率在40%-50%之間。
02 支持定制化設計
標準版：傳感器帶有雙層AR（防反射）涂層的石英玻璃罩，預防變臟和損壞同時最大限度允許光線通過。
定制版：傳感器可拆卸玻璃蓋，這種設計為特殊的紫外應用提供便利，在激光光束輪廓測繪等應用可以避免干涉條紋的影響。
| 產品型號 | GO-8105M-5GE-UV |
| 顏色 | ?Mono |
| 分辨率 | 2856 x 2848 |
| 幀速 | 66fps |
| 波長 | Visible+UV |
| 像元 | 2.74 x 2.74μm |
| 快門 | 全局 |
| 芯片類型 | CMOS |
| 位深 | 8/10/12bit |
| 接口 | 5GigE |
01 晶圓細小雜質檢測
在雜質檢測中，照射光源通過對象物體發(fā)出的散射光進行觀察，因為對象物非常小，接收到的光極其微弱。比光波長還要小的對象物體發(fā)出散射光是與對象物尺寸的6倍成正比，波長的4倍成反比。因此，為檢測出細小雜質需要照射更短波長的光，同時還要具備非常高靈敏度。
同時在數(shù)μm以下對分辨率有要求的檢測中使用的照明光源波長與所需的分辨率接近。因此，光學分辨率極限便是一個問題。所謂分辨率是指能夠區(qū)分2個光斑距離的分辨率，它依賴于光的波長。比起采用可見光，使用波長更短的紫外線，在分辨率方面更有優(yōu)勢。
GO-8105M-5GE-UV具備8.1MP分辨率，2.74μm像元，適用于針對晶圓細小雜質高精度檢測。
02 光掩模對準
在光刻工藝中會有多種對準標記，掩模版上的精細圖形通過光線曝光印制到硅片上的過程中，利用光掩模和晶圓表面未對準而導致對紫外線反射或吸收程度差異特性，用紫外相機拍攝被照亮的光掩模，進行模版對準分析。
03 塑料分選
利用UV光分選丙烯酸樹脂（PMMA）和聚苯乙烯（PS)。
通過UV圖像傳感器檢測，劣化的電絕緣體會輻射紫外線。
GO-8105M-5GE-UV面陣相機，身材小巧，寬光譜高靈敏度，保障半導體工業(yè)生產或科研領域研究，是紫外成像解決方案可靠選擇。
7
立即詢價
您提交后，專屬客服將第一時間為您服務