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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應 30V N溝道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400，原裝，庫存現(xiàn)貨*
HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實際電壓可以達到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運用于LED電源，充電器，小家電，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品
品牌：HN
型號：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨，HN3400,優(yōu)勢*
HN3400,HN3400B可以替代型號：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS
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我司可以免費提供HN3400樣品。
30V N溝道MOS 30V 5.8A 替代CJ3400 產(chǎn)品*
分析N溝道EMOS管：
N結的形成是因為電子為載流子，沒有形成共價鍵的電子便成為了載流子。
1.當柵極G引腳懸空時，漏極D和源極S相當于一根導線，載流子為游離的電子；（電流較?。?/p>
2.當柵極G引腳接低電平，漏極和源極隨便哪一個極接高電平時，G和N或G和S之間的PN結就反偏，反偏那么GD或GS之間就不會導通，還會導致PN結向中間擴展當中間全部被PN結覆蓋時就意味著阻斷了D極和S極之間的通路。
結論：N溝道EMOS管的柵極G接低電平時，PN結反偏，當反偏電壓加載到反偏截至區(qū)時DS之間就不會導通（D極或S極接高電平）
3.當柵極G引腳接高電平，漏極D或源極隨便哪一個接低電平時，導通電壓Vgd或Vgs滿足時，漏極D和源極S之間就導通，并且是大電流導通，因為你就是不接G極時，DS之間也會有電流，但是沒有電流放大作用，在G極接高電平時就對電流經(jīng)行了放大，并且在G極接低電平，S極或D極接高電平時，SD之間截至。
結論：N溝道EMOS管的柵極接高水平時，PN結正偏導通，對電流有放大作用。