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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) PC5M0EA 尼克森微 20V SOT-89 MOS ，原裝。庫存現(xiàn)貨*
PC5M0EA 參數(shù)：20V 11A SOT-89 N溝道 MOS 場效應(yīng)管
品牌：尼克森微
型號：PC5M0EA
VDS: 20V
IDS: 11A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
PC5M0EA 原裝*，PC5M0EA優(yōu)勢*
HN20N03 參數(shù)：30V 20A SOT-89 MOS/場效應(yīng)管
HN20N03 可以替代 PC5M0EA
HN20N03采用*的溝槽技術(shù)提供的無線電數(shù)據(jù)系統(tǒng)（開），低門電荷，帶門操作,電壓低至2.5伏。此設(shè)備適用于：電池保護或其他開關(guān)應(yīng)用.
脈寬調(diào)制應(yīng)用，負(fù)荷開關(guān)，電源管理。
HN20N03 參數(shù)：30V 20A SOT-89 N溝道 MOS/場效應(yīng)管
品牌：HN
型號：HN20N03
VDS: 30V
IDS: 20A
封裝：SOT-89
溝道：N溝道
HN20N03原裝現(xiàn)貨，HN20N03優(yōu)勢*
售后：我司可以免費提供HN20N03樣品
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。
【30V MOS N/P溝道】
HN3400： 30V 5.8A SOT23 N溝道 MOS管
HN3401: -30V -4.2A SOT23 P溝道 MOS管
HN20N03： 30V 20A SOT-89 N溝道 MOS管
HN20N03DA：30V 20A TO-252 N溝道 MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252 N溝道 MOS管
HN4435 ： -30V -9.1A SOP8 P溝道 MOS管
HN20P03 ： SOT-89 -30V -20A P溝道 MOS管
HN20P03 ： TO-252 -30V -20A P溝道 MOS管
16P03 ：-30V -16A DFN3.3*3.3 P溝道 MOS管
30P03 -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管
SLN30N03T ：30V 30A DFN3*3-8 N溝道 MOS管
SLN30P03T：-30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管
判斷mos跨導(dǎo)的大小
測反向電阻值的變化判斷跨導(dǎo)的大小.對VMOSV溝道增強型場效應(yīng)管測量跨導(dǎo)性能時，可用紅表筆接源極S、黑表筆接漏極D，這就相當(dāng)于在源、漏極之間加了一個反向電壓。此時柵極是開路的，管的反向電阻值是很不穩(wěn)定的。將萬用表的歐姆檔選在R×10kΩ的高阻檔，此時表內(nèi)電壓較高。當(dāng)用手接觸柵極G時，會發(fā)現(xiàn)管的反向電阻值有明顯地變化，其變化越大，說明管的跨導(dǎo)值越高；如果被測管的跨導(dǎo)很小，用此法測時，反向阻值變化不大。
場效應(yīng)管與晶體管的比較
（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。
（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。
（3）有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
（4）場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用
PC5M0EA 尼克森微 20V SOT-89 MOS ，HN20N03 可以替代 PC5M0EA