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深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) Si2336DS 威世 30V SOT23 MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨*

 Si2336DS參數(shù)：30V  5.2A  SOT23  N溝道 MOS管 

品牌：VISHAY 威世 
型號：Si2336DS
VDS： 30V
IDS：  5.2A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
Si2336DS原裝現(xiàn)貨,Si2336DS優(yōu)勢*

HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管/場效應(yīng)管  

HN3400  可以替代  Si2336DS

 HN3400為低壓MOS:30V，N溝道，大電流，小封裝MOS，HN3400實際電壓可以達(dá)到30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，
HN3400產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，游戲機(jī)，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品
品牌：HN
型號：HN3400
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨，HN3400,優(yōu)勢*

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MOS場效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號見上圖。其中：電極 D（Drain） 稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱為柵極，相當(dāng)于的基極；

電極 S（Source）稱為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B，這就構(gòu)成了一個N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

Si2336DS 威世 30V SOT23 MOS 產(chǎn)品*