產(chǎn)品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) AP2338GN 富鼎* ,原裝,庫存現(xiàn)貨*
AP2338GN參數(shù): 30V 5A SOT23 N溝道 MOS管/場效應(yīng)管
品牌:富鼎*APEC
型號:AP2338GN
VDS: 30V
IDS: 5A
封裝: SOT-23
溝道:N溝道
AP2338GN原裝現(xiàn)貨,AP2338GN優(yōu)勢*
HN3400可以替代AP2338GN
HN3400為低壓MOS:30V,N溝道,大電流,小封裝MOS,HN3400實際電壓可以達到30V,可以滿足LED電源,充電器,小家電等需要低壓,大電流,小封裝的要求,
HN3400產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定,廣泛運用于LED電源,充電器,小家電,游戲機,電源,混色LED燈等電子產(chǎn)品。
品牌:HN
型號:HN3400
VDS: 30V
IDS: 5.8A
封裝: SOT-23
溝道:N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨,HN3400,優(yōu)勢*
HN3400,HN3400B可以替代型號:AO3400,A03400,AP2306AGN,AP2338GN,AP2316GN,AP2326GN,CJK3400A,CJ2306,CJ3400,,CJ3404,CJ3434,Si2338DS,Si2372DS,Si2366DS,Si2336DS。
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AP2338GN 富鼎* 產(chǎn)品*
N溝道增強型MOS場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上,制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層,在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個電極B,這就構(gòu)成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。