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深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) AO3400A 萬(wàn)代 30V SOT23 MOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨*

 AO3400A參數(shù)：30V  5.8A   SOT23        N溝道 MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管  

AO3400A  AOS 美*代 
品牌：AOS 美*代
型號(hào)：AO3400A
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道

 AO3400A是AOS 推出的30V，5.8A，SOT23封裝，N溝道 MOS場(chǎng)效應(yīng)管，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，游戲機(jī)，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。

  HN3400 可以替代 AO3400A

 HN3400：  30V  5.8A  SOT23  N溝道 MOS管

品牌：HN
型號(hào)：HN3400,HN3400B
VDS： 30V
IDS： 5.8A
封裝： SOT-23
溝道：N溝道
HN3400,原裝現(xiàn)貨，HN3400,優(yōu)勢(shì)*

 我司可以免費(fèi)提供HN3400樣品。

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HN3400,HN3400B可以替代型號(hào)：AO3400，A03400，AP2306AGN，AP2338GN，AP2316GN，AP2326GN，CJK3400A，CJ2306，CJ3400，，CJ3404，CJ3434，Si2338DS，Si2372DS，Si2366DS，Si2336DS.

MOS場(chǎng)效應(yīng)三極管分為：增強(qiáng)型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝道增強(qiáng)型MOSFET的結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)見(jiàn)上圖。其中：電極 D（Drain） 稱(chēng)為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；

電極 G（Gate） 稱(chēng)為柵極，相當(dāng)于的基極；

電極 S（Source）稱(chēng)為源極，相當(dāng)于發(fā)射極。

N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。

AO3400A 萬(wàn)代 30V SOT23 MOS 產(chǎn)品*