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产品简介
详细介绍
深圳市三佛科技有限公司 供应 FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS，原装，库存现货*
FIR3N10MTG 参数：100V 8A SOT-89 MOS管/场效应管， N沟道
品牌： 福斯特
型号：FIR3N10MTG
VDS：100V
IDS： 8A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
FIR3N10MTG原装*,FIR3N10MTG现货*供应
HN0801可以替代FIR3N10MTG
HN0801参数：100V 8A SOT-89 MOS管/场效应管， N沟道
HN0801结合了*的沟槽，低电阻封装的MOSFET技术，提供极低的无线电数据系统（开）。此设备非常适合电源切换应用和LED背光。
HN0801为中压MOS:100V，N沟道，大电流，HN0801实际电压可以达到100V，HN0801产品质量稳定，广泛运用 于小家电，雾化器，加湿器，电源
100V MOS管，HN0801参数：100V 8A SOT-89 N沟道MOS管/场效应管
品牌：HN
型号：HN0801
VDS：100V
IDS：8A
封装：SOT-89
沟道：N沟道
HN0801原装*,HN0801现货*供应
售后服务：公司免费提供HN0801样品，并提供产品运用的技术支持。
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金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下，P沟道MOS管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因P沟道MOS管电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用P沟道MOS管电路技术。
FIR3N10MTG 100V SOT-89 MOS 替代型号 HN0801 产品*