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深圳市三佛科技有限公司 供应 BSS606N 60V SOT-89 MOS，原装，库存现货*

 BSS606N参数：60V 3.2A SOT-89  MOS管/场效应管   N沟道

品牌：IR
型号：BSS606N
VDS：60V  
IDS：3.2A  
封装：SOT-89
沟道：N沟道
BSS606N原装*,BSS606N现货*供应

HN0801可以替代BSS606N

 HN0801参数：100V 8A SOT-89 N沟道MOS管/场效应管

 HN0801结合了*的沟槽，低电阻封装的MOSFET技术，提供极低的无线电数据系统（开）。此设备非常适合电源切换应用和LED背光。

 HN0801为中压MOS:100V，N沟道，大电流，HN0801实际电压可以达到100V，HN0801产品质量稳定，广泛运用 于小家电，雾化器，加湿器，电源
 品牌：HN
型号：HN0801
VDS：100V  
IDS：8A  
封装：SOT-89
沟道：N沟道

HN0801原装*,HN0801现货*供应
HN0801产品应用于：小家电，雾化器，加湿器，电源。

 场效应管的好坏判断
把数字的万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应管的三只引脚，好的场效应管最终测量结果只有一次有读数，并且在500左右。
如果在最终测量结果中测得只有一次有读数，并且为“0”时，须用表笔短接场效应管识引脚，然后再测量一次，若又测得一组为500左右读数时，此管也为好管。不符合以上规律的场效应管均为坏管。 场效应管的代换原则（注：只适合主板上场效应管的代换）?
一般主板上采用的场效管大多为绝缘栅型增强型N沟通最多，其次是增强型P沟道，结型管和耗尽型管一般没有，所以在代换时，只须在大小相同的情况下，N沟道代N沟道，P沟道代P沟道即可。

BSS606N 60V SOT-89 MOS产品*