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深圳市三佛科技有限公司 供应 2SK2055 100V 4A SOT-89  MOS管，原装，库存现货*

 2SK2055参数：100V 4A SOT-89  MOS管/场效应管   N沟道
品牌：NEC 
型号：2SK2055
VDS：100V  
IDS：4A  
封装：SOT-89
沟道：N沟道
2SK2055原装*,2SK2055现货*供应。

HN0801可以替代2SK2055

 HN0801参数：100V 8A SOT-89 N沟道MOS管/场效应管

 100V MOS管HN0801可替代：AO4292，AO4292E，AO4452，AO4454，AO4482，2SK2055，PCP1403，BSS606N, 2SK1764, CJA03N10,2SK1592,VSR050N06MS,RHP020N06T100,RJP020N06，NCE3055，UT3N06G，FIR3N10MTG，2SK1273，NCE6003M，2SK2055，2SK3065，2SK2615，PL3N10M，NCE0102M，WSE9968A，HM3N10PR，
HM4N10PR，HM6N10PR，HM2N15PR，AP2310GG，AP6N090G。

 场效应管工作原理

 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

 2SK2055 100V 4A SOT-89  MOS管 产品*