您好, 歡迎來到化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 30V P溝道 MOS 30V SOT23 HN3401，原裝，庫存現(xiàn)貨*
HN3401為低壓MOS:-30V，P溝道，大電流，小封裝MOS，HN3401實(shí)際電壓可以達(dá)到-30V，可以滿足LED電源，充電器，小家電等需要低壓，大電流，小封裝的要求。
HN3401產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，廣泛運(yùn)用于LED電源，充電器，小家電，游戲機(jī)，電源，混色LED燈等電子產(chǎn)品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N。
HN3401參數(shù)：-30V -4.2A SOT23 P溝道 MOS管
品牌：HN
型號(hào)：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封裝：SOT-23
溝道：N溝道
司可以免費(fèi)提供HN3401樣品。
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。
【30V MOS N/P溝道】
HN3400： 30V 5.8A SOT23 N溝道 MOS管
HN3401: -30V -4.2A SOT23 P溝道 MOS管
HN20N03： 30V 20A SOT-89 N溝道 MOS管
HN20N03DA：30V 20A TO-252 N溝道 MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252 N溝道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252 N溝道 MOS管
HN4435 ： -30V -9.1A SOP8 P溝道 MOS管
HN20P03 ： SOT-89 -30V -20A P溝道 MOS管
HN20P03 ： TO-252 -30V -20A P溝道 MOS管
HN16P03 ：-30V -16A DFN3.3*3.3 P溝道 MOS管
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8 P溝道 MOS管
我司可以免費(fèi)提供HN3401樣品。
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘?，可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓值相等的情況下，P溝道MOS管的跨導(dǎo)小于N溝道MOS晶體管。此外，P溝道MOS晶體管閾值電壓的值一般偏高，要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大，充電放電過程長，加之器件跨導(dǎo)小，所以工作速度更低，在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導(dǎo)體集成電路)出現(xiàn)之后，多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因P溝道MOS管電路工藝簡(jiǎn)單,價(jià)格便宜，有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用P溝道MOS管電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。P溝道MOS管集成電路采用-24V電壓供電。如圖5所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式，一般CMOS的電源電壓選擇在10～12V就能滿足PMOS對(duì)輸入電平的要求。