亚洲精品综合日韩中文字幕网站_精品综合久久久久97_中文在线天堂网www_久久精品免费一区二区三区_91久久国产综合精品女同国语_久久资源总站在线国产成人

深圳市三佛科技有限公司 供应 30V P沟道 MOS 30V SOT23 HN3401，原装，库存现货*

 HN3401为低压MOS:-30V，P沟道，大电流，小封装MOS，HN3401实际电压可以达到-30V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求。

HN3401产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，游戏机，电源，混色LED灯等电子产品。
HN3401可以替代：CJ3401，CJ3401A，CJ3407，CJ4459，AP2305AGN，AP2309GN，AP2319GN，AP2309GEN，AP2309AGN，AP3601N，AP3P080N，AP3P090N。

 HN3401参数：-30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管

品牌：HN
型号：HN3401
VDS: -30V
IDS: -4.2A
封装：SOT-23
沟道：N沟道
 司可以免费提供HN3401样品。

阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。

 【30V MOS N/P沟道】

HN3400：  30V  5.8A   SOT23        N沟道 MOS管
HN3401:     -30V -4.2A  SOT23       P沟道 MOS管
HN20N03： 30V  20A  SOT-89         N沟道 MOS管 

HN20N03DA：30V 20A TO-252   N沟道   MOS
HN10N03DA：30V 10A TO-252     N沟道 MOS管
HN85N03DA：30V 85A TO-252    N沟道 MOS管 
HN4435 ：      -30V  -9.1A   SOP8  P沟道  MOS管 
HN20P03 ： SOT-89  -30V -20A  P沟道 MOS管 
HN20P03 ： TO-252  -30V -20A  P沟道 MOS管 
HN16P03 ：-30V -16A  DFN3.3*3.3  P沟道 MOS管 
HN30P03 -30V -30A DFN3*3-8  P沟道 MOS管 

 我司可以免费提供HN3401样品。

 阿里店铺：阿里 “供应商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨询客服购买。

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类，P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压值相等的情况下，P沟道MOS管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的值一般偏高，要求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性,与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)出现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是,因P沟道MOS管电路工艺简单,价格便宜，有些中规模和小规模数字控制电路仍采用P沟道MOS管电路技术。

PMOS集成电路是一种适合在低速、低频领域内应用的器件。P沟道MOS管集成电路采用-24V电压供电。如图5所示的CMOS-PMOS接口电路采用两种电源供电。采用直接接口方式，一般CMOS的电源电压选择在10～12V就能满足PMOS对输入电平的要求。