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产品简介
详细介绍
深圳市三佛科技有限公司 供应 40V N沟道MOS 40V 10A 充电器MOS，原装，库存现货*
HN4004采用*的沟槽技术和设计，以提供的RDS（开），低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用
一般特性：vds=40V，id=13A rds（开）<11MΩ@vgs=10V（典型8.1兆欧）rds（开）<16兆欧@vgs=4.5伏（典型11 MΩ）。超低RDSON的高密度电池设计。*特征雪崩电压和电流.。稳定性好，均匀性好，EAS高。散热性好的封装。
应用：负荷切换。硬开关和高频电路。不间断电源。
提高充电速度的方法有两个大方向:一是提高电压，二是提高电流。提高电压会增大充电过程中的发热量，加速电池老化并可能带来安全隐患，因此实际效果不佳。相比之下，提高电流则较为现实。VOOC闪充技术采用低电压高电流模式，保证了充电过程中的安全性
HN4004主要替代:FKS4004,NCE4009S，NCE4012S
品牌：HN
型号：HN4004
VDS： 40V
IDS： 10A
封装： SOP8
沟道：N沟道
HN4004原装现货，HN4004优势*
HN4004广泛运用于电源，充电器，控制板上。
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售后服务：公司免费提供HN4004样品，并提供HN4004产品运用的技术支持。
HN4004可替代：FKS4004，NCE4009S，NCE4012S，NCE4015S，NCE40ND0812S，AO4450，AO4480，AO4484，AP9465GEM，AP9466GM，AP9467AGM，AP9468GM，AP9470GM，AP9985GM。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。