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產(chǎn)品簡介
詳細介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應 40V N溝道MOS 40V 10A 充電器MOS，原裝，庫存現(xiàn)貨*
HN4004采用*的溝槽技術和設計，以提供的RDS（開），低門電荷。它可以在各種各樣的應用中使用
一般特性：vds=40V，id=13A rds（開）<11MΩ@vgs=10V（典型8.1兆歐）rds（開）<16兆歐@vgs=4.5伏（典型11 MΩ）。超低RDSON的高密度電池設計。*特征雪崩電壓和電流.。穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高。散熱性好的封裝。
應用：負荷切換。硬開關和高頻電路。不間斷電源。
提高充電速度的方法有兩個大方向:一是提高電壓，二是提高電流。提高電壓會增大充電過程中的發(fā)熱量，加速電池老化并可能帶來安全隱患，因此實際效果不佳。相比之下，提高電流則較為現(xiàn)實。VOOC閃充技術采用低電壓高電流模式，保證了充電過程中的安全性
HN4004主要替代:FKS4004,NCE4009S，NCE4012S
品牌：HN
型號：HN4004
VDS： 40V
IDS： 10A
封裝： SOP8
溝道：N溝道
HN4004原裝現(xiàn)貨，HN4004優(yōu)勢*
HN4004廣泛運用于電源，充電器，控制板上。
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售后服務：公司免費提供HN4004樣品，并提供HN4004產(chǎn)品運用的技術支持。
HN4004可替代：FKS4004，NCE4009S，NCE4012S，NCE4015S，NCE40ND0812S，AO4450，AO4480，AO4484，AP9465GEM，AP9466GM，AP9467AGM，AP9468GM，AP9470GM，AP9985GM。
場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據(jù)漏極-源極間所加VDS的電場，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。