深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) NP3415EVR-G -20V -4A  PMOS，原裝，庫存現(xiàn)貨熱銷

 NP3415EVR-G 參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應(yīng)管

型號：NP3415EVR-G
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
溝道：P溝道
種類：絕緣柵(MOSFET)
NP3415EVR-G原裝現(xiàn)貨，NP3415EVR-G優(yōu)勢熱銷

 HN3415 可以替代 NP3415EVR-G

 HN3415D采用*的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于負載開關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用。它是防靜電的
應(yīng)用：脈寬調(diào)制應(yīng)用，負載開關(guān)，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無鉛產(chǎn)品●表面安裝包。

HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場效應(yīng)管  帶ESD靜電保護
品牌：HN
型號：HN3415D
主要參數(shù)：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護：1500V
HN3415D原裝現(xiàn)貨，HN3415D優(yōu)勢熱銷

 HN3415D廣泛運用于電源，充電頭，控制板，計算機，家電，通訊設(shè)備等產(chǎn)品上。

售后：免費提供樣品，和產(chǎn)品技術(shù)支持。
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購買。 
HN3415替代：AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 NP3415EVR-G -20V -4A  PMOS 產(chǎn)品熱銷， HN3415 可以替代 NP3415EVR-G

 絕緣柵場效應(yīng)管
1、絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）的分類：絕緣柵場效應(yīng)管也有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道型和P溝道型。無論是什么溝道，它們又分為增強型和耗盡型兩種。
2、它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成，所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。
3、絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管為例)它是利用UGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。