深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) AP2325GEN -20V -3A PMOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨熱銷(xiāo)

 AP2325GEN參數(shù)： -20V -3A SOT-23    MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管  P溝道

 品牌：富鼎*(APEC)
型號(hào)：AP2325GEN
VDS:  -20V
IDS: -3A
封裝：SOT-23
溝道：P溝道
種類(lèi)：絕緣柵(MOSFET)

AP2325GEN原裝現(xiàn)貨，AP2325GEN優(yōu)勢(shì)熱銷(xiāo)

 HN3415 可以替代AP2325GEN
HN3415參數(shù)：-20V -4A SOT-23 P溝道  MOS管/場(chǎng)效應(yīng)管  帶ESD靜電保護(hù)

品牌：HN
型號(hào)：HN3415D
主要參數(shù)：-20V -4A SOT-23
VDS: -20V
IDS: -4A
封裝：SOT-23
ESD保護(hù)：1500V

HN3415D原裝現(xiàn)貨，HN3415D優(yōu)勢(shì)熱銷(xiāo)

HN3415D廣泛運(yùn)用于電源，充電頭，控制板，計(jì)算機(jī)，家電，通訊設(shè)備等產(chǎn)品上。

HN3415D采用*的溝道技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（開(kāi)），低柵極電荷和低至1.8V的柵極電壓操作。該設(shè)備適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)或脈寬調(diào)制應(yīng)用。它是防靜電的
應(yīng)用：脈寬調(diào)制應(yīng)用，負(fù)載開(kāi)關(guān)，USB.
vds=-20V，id=-4a rds（on）<60MΩ@vgs=-2.5V rds（on）<45MΩ@vgs=-4.5V ESD額定值：2500V hbm●高功率和電流處理能力●獲得無(wú)鉛產(chǎn)品●表面安裝包

售后：免費(fèi)提供樣品，和產(chǎn)品技術(shù)支持。
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢(xún)客服購(gòu)買(mǎi)。 
HN3415替代：AO3415，AO341A ，AO3423，NCE3415，CJ3415，NCE3415Y，HM3415E，AP2309GEN，MK3415，HM341，AO3415。

 AP2325GEN -20V -3A PMOS 產(chǎn)品熱銷(xiāo)， HN3415 可以替代AP2325GEN

 場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較
（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。
（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱(chēng)之為雙極型器件。
（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。
（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用