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產(chǎn)品簡介

技術(shù)指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。
最小分辨率：0.00001Ω/□。
試樣尺寸：直徑大于 32mm。
試樣厚度：t≤5μm（約）。
探針間距：1.59mm。
成套設(shè)備包含：

本設(shè)備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻，HD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準

SEMI MF 374-0307 對設(shè)備的要求研制，運用了*半導(dǎo)體薄層測量技術(shù)，無需特別制

樣，可測不規(guī)則的金屬薄膜。

技術(shù)指標：方塊電阻測量范圍（3 位有效數(shù)字）：0.00001-0.3Ω/□。

測量電流分兩檔：100mA 和 1000mA。

最小分辨率：0.00001Ω/□。

試樣尺寸：直徑大于 32mm。

試樣厚度：t≤5μm（約）。

探針間距：1.59mm。

成套設(shè)備包含：

HD-KDB-2B 主機一臺

HD-KDJ-1A 手動測試架一臺

HD-KDT-5 紅寶石四探針頭一個

電源線一根

四探針頭連接線一根

選購件：

微控制器及配套測試系統(tǒng) 一套