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VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備返回列表頁(yè)

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所在地北京市

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更新時(shí)間：2023-12-01 15:33:36瀏覽次數(shù)：292次

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產(chǎn)品分類品牌分類

壓力流體測(cè)試設(shè)備

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

應(yīng)用領(lǐng)域	電子/電池,綜合

VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備
VISHAY功率 MOSFET 已成為標(biāo)準(zhǔn)選擇用于低壓 (<200 V) 開關(guān)模式的主開關(guān)器件電源 (SMPS) 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。選擇VISHAY MOSFET 的主要標(biāo)準(zhǔn)是功率與VISHAY MOSFET 相關(guān)的損耗（與整體SMPS的效率）和功耗能力VISHAY MOSFET的（與最大結(jié)溫有關(guān)和封裝的熱性能）。

詳情介紹

VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備

影響閘機(jī)的因素有很多VISHAY MOSFET，有必要了解其基本原理VISHAY MOSFET行為之前的器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)可以被解釋。本應(yīng)用筆記詳細(xì)介紹了基本結(jié)構(gòu)溝槽VISHAY MOSFET 結(jié)構(gòu)，識(shí)別寄生組件和定義相關(guān)術(shù)語(yǔ)。VISHAY MOSFET 具有多種拓?fù)洹㈤_關(guān)速度、負(fù)載電流和可用的輸出電壓，

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IRF510

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VISHAY MOSFET 已成為無(wú)法確定提供最佳性能的通用 MOSFET在廣泛的電路條件下的性能。VISHAY MOSFET 在在某些情況下，導(dǎo)通電(rDS(on)) 損失占主導(dǎo)地位，而在其他情況下，VISHAY MOSFET 是開關(guān)損耗瞬態(tài)電流和電壓波形，或損失與驅(qū)動(dòng)器件的柵極相關(guān)聯(lián)。VISHAY MOSFET 輸入和輸出電容可以是占主導(dǎo)地位的損失。

VISHAY半導(dǎo)體 MOSFET 測(cè)試設(shè)備