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使用ICP-MS/MS 對(duì)高純度Nd2O3中的痕量稀土元素進(jìn)行常規(guī)測定
閱讀：357 發(fā)布時(shí)間：2019-10-24| 提 供 商 | 上海斯邁歐分析儀器有限公司 | 資料大小 | 364.2KB |
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含稀土元素 (REE) 的高科技產(chǎn)品不斷快速發(fā)展。因此，稀土元素的使 用已從玻璃拋光等成熟的應(yīng)用擴(kuò)展到高性能磁體、高科技催化劑、電 子、玻璃、陶瓷和合金等領(lǐng)域。第二豐富的 REE 為釹 (Nd)，它與鐵 和硼的合金 (NIB) 是*永磁體中的重要材料，這些*永磁體常用 于車輛部件、計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備、MRI 掃描儀和揚(yáng)聲器中。Nd 還 用于制造玻璃吹制工和焊工使用的玻璃和安全玻璃（釹鐠混合物）。 隨著 REE 越來越多地應(yīng)用于高科技產(chǎn)品，對(duì)所有雜質(zhì)的控制顯得至 關(guān)重要。例如，高純單元素 REE 材料中存在的其他 REE 雜質(zhì)可能對(duì) 終產(chǎn)品的功能產(chǎn)生影響。因此，必須嚴(yán)格控制 REE 氧化物原材料 中的雜質(zhì)。
電感耦合等離子體質(zhì)譜 (ICP-MS) 是測量痕量 REE 常用的原子光譜技術(shù)。其部分原因在于 REE 的 質(zhì)譜圖相對(duì)簡單，尤其是相對(duì)于由 ICP-OES 等技 術(shù)產(chǎn)生的復(fù)雜的 REE 發(fā)射光譜圖。然而，ICP-MS 測定低質(zhì)量數(shù) REE 基質(zhì)中的中等質(zhì)量數(shù)和高質(zhì)量 數(shù) REE 雜質(zhì)時(shí)面臨著較大的挑戰(zhàn)，因?yàn)?REE 的金 屬-氧化物 (M-O) 鍵能很高，且低質(zhì)量數(shù) REE 的氧 化物離子會(huì)與中等質(zhì)量數(shù)和高質(zhì)量數(shù) REE 的 同位素發(fā)生重疊。例如，在分析高純度 Nd2O3 中 的痕量 REE 時(shí)，145Nd16OH2 + 和 146Nd16OH+ 與鏑的同位素 (163Dy+ ) 重疊，143Nd16O+ 與鋱的同位素 (159Tb+ ) 重疊，148Nd16OH+ 與鈥的同位素 ( 165Ho+ ) 重疊。雖然痕量 REE 分析物與 REE 基質(zhì)的 分離可通過螯合樹脂得以實(shí)現(xiàn)，但是這種技術(shù)耗 時(shí)，且需要根據(jù)所研究的特定分析物和基質(zhì)元素定 制分離方法。顯然，開發(fā)一種無需前處理、直接分 析各種高純度 REE 基質(zhì)中痕量 REE 雜質(zhì)的方法非 常重要。