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| 價格區(qū)間 | 250萬-300萬 | 儀器種類 | 熱場發(fā)射 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,地礦,能源,電子/電池 |
產(chǎn)品簡介
詳細介紹
JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射電鏡產(chǎn)品介紹：
JSM-7200F是日本電子株式會社(JEOL Ltd.)于2015年推出的一款多功能、簡單易用的分析型場發(fā)射掃描電鏡，這款高分辨率掃描電鏡是進行樣品納米級圖像顯微分析與微區(qū)化學成分分析的理想選擇。
通過光闌角控制透鏡技術，JSM-7200F可以在任意加速電壓下實現(xiàn)小束斑尺寸的大分析束流進而可以輕松實現(xiàn)100nm以內的高空間分辨率分析。
JSM-7200F/LV配有大樣品倉，非常適合于搭載的能譜儀、波譜儀、EBSD相機、CL陰極發(fā)光探測器、拉伸臺、EBL以及SXES（JEOLzhuan利技術，通過探測低能量的波長從而獲得樣品的化學價態(tài)信息）等分析探測器。同時，JSM-7200F具有抽屜式樣品倉可以安裝諸如加熱、拉伸以及冷凍樣品臺進行原位分析。
JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射電鏡特點：
浸沒式肖特基電子槍
浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的zhuan利技術，通過對電子槍和低像差聚光鏡進行優(yōu)化，能有效利用從電子槍中發(fā)射的電子，即使電子束流很大也能獲得很細的束斑。因而可以實現(xiàn)高通量分析（EDS、WDS面分析、EBSD分析等）。
TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）
TTLS（through-the-lens系統(tǒng)）是利用GB(Gentle Beam 模式）在低加速電壓下能進行高分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。 利用GB（Gentle Beam 模式）通過給樣品加以偏壓，對入射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用，即使在低加速電壓（入射電壓）下，也能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外，利用安裝在TTLS的能量過濾器過濾電壓，可以調節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加速電壓的條件下，用高位檢測器（UED）就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能量電子，可以用高位二次電子檢測器（USD，選配件）檢測出來，因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
混合式物鏡（電磁場疊加）
JSM-7200F的物鏡采用了本公司新開發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡，比傳統(tǒng)的out-lens像差小，能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性，所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
JSM-7200F高速分析熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡規(guī)格：
| JSM-7200F | SM-7200F/LV | |
| 分辨率 | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV) | 1.0 nm(20kV)，1.6 nm(1kV)，1.8nm (30kV, LV ) |
| 放大倍率 | ×10～×1,000,000(120mm x 90mm photograph size); ×30～×3,000,000(1280 x 960pixels display); | |
| 加速電壓 | 0.01kV～30kV | |
| 束流 | 1pA～300nA | |
| 自動光闌角zei佳控制透鏡ACL | 內置 | |
| 大景深模式 | 內置 | |
| 檢測器 | 高位檢測器(UED)、低位檢測器(LED) | |
| 樣品臺 | 5軸馬達驅動樣品臺 | |
| 樣品移動范圍 | X：70mm Y：50mm Z：2mm～41mm 傾斜－5～＋70° 旋轉360° | |
| 低真空范圍 | - | 10pa～300pa |
主要選配件：
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可插拔式背散射電子探頭（RBED）
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高位二次電子探頭（USD）
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低真空二次電子探頭（LV-SED）
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能譜儀（EDS)
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波譜儀（WDS）
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電子背散射衍射系統(tǒng)（EBSD)
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陰極熒光系統(tǒng)（CLD）
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樣品臺導航系統(tǒng)（SNS）
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電子束曝光系統(tǒng)
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