freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀

 微波探測光誘導電流瞬態(tài)譜儀對于半導體材料少子壽命，電學參數和界面陷阱等進行非接觸和非破壞性測試。硅| 化合物半導體 | 氧化物| 寬帶隙材料| 鈣鈦礦 | 外延層

半導體材料的基礎研究和開發(fā)
配置選項
靈敏度：對半導體材料電學缺陷有高靈敏度
溫度范圍：液氮(77K)到500K,可選：液氦(4K)或更高的溫度
衰減常數范圍：20ns到幾十ms
玷污檢測：電學陷阱基本性能確定：
激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
重復性：>99.5%，測試時間< 6 0 分 鐘 ，液氮消耗：2L/run
靈活性： 從365nm到1480nm,根據不同材料選擇不同波長的激發(fā)光源
輔助功能：基于IP的系統(tǒng)，允許在任何地方進行遠程操作和技術支持

半導體材料性能研究和開發(fā)

+  半導體材料質量控制
+  缺陷種類確定：激活能，俘獲截面等參數

freiberg弗萊貝格MDpicts微瞬態(tài)譜儀

測試原理

MDpicts采用先進的光誘導電流瞬態(tài)譜測試技術（PICTS）是非接觸測試并具備更高的靈敏度，在各種半導體材料研究中開辟了新的應用。這個技術對半導體材料中的電學缺陷行為，可以提供與D L T S 技術相媲美的靈敏度，并給出載流子陷阱在材料中的主要復合中心。