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| 产地类别 | 国产 | 应用领域 | 能源,电子/电池,道路/轨道/船舶,汽车及零部件,电气 |
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VOC检测仪 有机气体检测仪 型号：HAD-PGM-7320
VOC检测仪是款广谱手持式挥发性有机化合物 (VOC) 气体检测仪，采用的三代光离子化检测器 (PID) ，提了检测度和响应时间，检测范围达到0.1~15000ppm，选择无线传输?？榭梢允迪钟肟刂铺ǖ奈尴呤荽浜驮冻碳嗫亍？晒惴河τ迷谝蛋?、石油石化、应急救援、环保等行业。
光离子的越表现
响应时间短、检测范围宽、分辨率，检测误差小
宽的检测范围
可以实时检测0.1~15000ppm的VOC气体
自清洗
紫外灯的自清洁保持灯的能量在个稳定状态
无线在气体检测中的*应用
内置蓝牙或无线模块，实现实时数据传输
内置强力采样泵
可外接长达30m的采样管路，检测数据样准确无误
智能的温度和零点补偿算法
内置温度湿度压力传感器，自动行补偿，保证检测的准确性
友好的人机操作界面
大屏幕图文液晶显示，多语言，支持中文
可检测数千种气体
广谱性检测，内置气体数据库，方便使用者选择
标准配置
• HAD-PGM-7320 主机（ 含传感器及UV 灯锂电池）
• 充电器/PC 通讯适配器
• 交适配器
• 碱性电池适配器
• 橡胶保护套
• 气采样杆、气管及水阱过滤器
• 使用说明书、资料及软件光盘
• 便携软包
• 数据电缆
• PID 清洁包
• 具包
可选配件
• 充电底座
• 100ppm 异丁烯标准气体（34L) + 量计
• 硬质携带箱
• USB 数据电缆（充电底座使用）
2.铁电体电滞回线测量仪 型号：H20961
电滞回线测量是检测铁电体的一种主要手段?！癟F_DH1铁电体电滞回线测量仪"针对教学需求而设计的，并且也可以应用到科研领域。
主要特点：内含微处理器、程控放大器；设有安全?；ぷ爸?；高速数据接口；精制样品盒和样品台；软件功能丰富
极化电压 0 ~ 300V,可调
内含微处理器、程控放大器
设有安全?；ぷ爸?/span>
具有高速数据接口，利用电脑记录数据和曲线；
保留示波器接入端
精制样品盒和样品台，置换样品更方便、安全
软件功能丰富
3.固体数字熔点仪 数字熔点仪 型号：H20956
用于观察和测量固体材料的熔化特性，进而分析判断单质材料的类型和分析判断二组分体系熔解特性并获取该组分体系的相图。真空炉透明，目视熔化过程，无烟雾等有害气体产生。恒流源、毫伏表均采用数字显示。
功能：
LB-SMP-1型数字熔点仪是为大学物理实验和物化实验课程用于观察和测量固体材料的熔解特性而专门设计的实验教学仪器。利用本仪器测量熔化了的固体样品在均匀冷却过程中的温度——时间冷却曲线（亦称步冷曲线），可以分析和判断单质材料的类型（晶体、非晶体），测量晶体材料的熔点，分析和判断二组份体系熔解特性并获取该组份体系的相图。
仪器特点：
1. 材料样品炉真空透明，目视熔化过程，无烟雾等有害气体产生；
2. 有完善的多级控温装置，安全可靠；
3. 样品炉炉温升、降过程直接采用数字温度表显示，直观明了；
4. 计时器提示音有三档可选。
技术参数：
1、熔化炉加热功率 ：300W；
2、温度范围 ： 0～500℃。
3、数字控温温度计：测量范围0～500℃, 控温设定范围 20～500℃。
4 计时器计时范围 ：1～99999秒，5位数显，
5 提示音间隔 ： 3秒、5 秒、10 秒、三档可选
6、电源 AC 220V 50Hz 2A。
4.纳米微粒制备实验仪 型号：H20949
参照电阻加热蒸发法制备超微颗粒的原理，进行相关的金属、氧化物、高分子材料及其他材料的超微颗粒制备实验或演示
一、基本原理
纳米科学技术（Nano-ST）是20世纪80年代末期刚刚诞生并正在迅速发展的新科技。它是研究由尺寸在0.1～100纳米（nm）之间的物质组成体系的运动规律和相互作用以及可能的实际应用中的技术问题的科学技术，它是高度交叉的综合性学科，也是一个融前沿科学和高技术于一体的完整体系。
在整个纳米科技的发展过程中,纳米微粒的制备和微粒性质的研究是最早开展的。
微粒制备的方法很多,按制备方法可分为物理方法和化学方法。按制备路经分，可分为粉碎法和聚集法。
本实验仪采用电阻加热，气体冷凝法制备纳米微粒。
图中显示蒸汽冷凝法制备纳米微粒的过程。首先利用抽气泵（真空泵）对系统进行真空抽吸，并利用惰性气体进行置换。惰性气体为高纯Ａｒ、Ｈｅ等，有些情形也可以考虑用Ｎ２气。经过几次置换后，将真空反应室内?；て钠沟鹘诳刂浦了璧牟问段?，通常约为0.1ｋＰａ至10ｋＰａ范围，与所需粒子粒径有关。当原材料被加热至蒸发温度时蒸发成气相。气相的原材料原子与惰性气体的原子（或分子）碰撞，迅速降低能量而骤然冷却。骤冷使得原材料的蒸汽中形成很高的局域过饱和，非常有利于成核。成核与生长过程都是在极短的时间内发生的。首先形成原子簇，然后继续生长成纳米微晶，最终在收集器上收集到纳米粒子。
5.变温霍尔效应实验仪 型号：H20948
霍尔效应的测量是开展半导体研究的重要方法。本机利用计算机的数据采集和处理在80K-400K温度范围内对霍尔系数和电导率的联合测量，进行半导体导电机制及散射机制的研究，并可确定半导体的一些基本参数，如导电类型、载流子浓度、迁移率、禁带宽度以及杂质电离能等。
主要技术指标
1．电磁铁 0-300mT连续可调
2. 励磁电源 0-5A连续可调 可自动换向 稳定性﹤±0.1%
3. 数字特斯拉计 0-2000mT 三位半数字显示 分辨率0.001
4. 恒流源输出 1mA 稳定性±0.1%
5. 数据采集系统霍尔电压测量最小分辨率1uV
6. 温度变化测量范围 80-400K
7. 整套仪器由电磁铁系统、电源控制系统机箱、测量系统主机、恒温器四部分组成
8. 探头样品采用单晶锗片
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