一、設(shè)備用途

本設(shè)備主要用于從 4N 到高純硒的提純制備，可將 4N 硒中的大多數(shù)元素通過真 空揮發(fā)除雜，使硒達到 5~6N 標準。

二、高溫真空揮發(fā)爐主要技術(shù)參數(shù)

1、額定電壓功率：三相，380V,50Hz,≤30Kw

2、坩堝容量：20kg (以硒比重計算)

3、坩堝溫度：≥800℃

4、真空度：≤1x10-1Pa

5、坩堝材質(zhì)：石英材質(zhì)

6、極限真空度：<10Pa

7、主要組成部分：真空腔體、爐架、真空系統(tǒng)、熔煉裝置、收集塔、爐蓋升降裝置、 底部升降裝置

三、高溫真空揮發(fā)爐設(shè)備優(yōu)勢

1、爐門采用側(cè)部開門結(jié)構(gòu)，方便進出料和安裝拆卸熔煉坩堝

2、爐架由型鋼和數(shù)控折板組裝成爐架，用于支撐爐體，并做為操作平臺，使操作更具人性化

3、真空爐內(nèi)溫度均勻且穩(wěn)定，具有良好的熱傳遞性能，確保材料在加熱過程中受熱均勻，減少熱處理過程中的溫度差異

4、在真空爐內(nèi)可以排除氧氣、水蒸氣等有害氣體，從而減少材料表面的氧化反應(yīng)，保持材料的純凈度和性能

5、真空爐內(nèi)部溫度均勻且穩(wěn)定，這得益于其先進的加熱系統(tǒng)和溫度控制系統(tǒng)。通過電阻加熱或電磁感應(yīng)加熱方式，真空爐能夠確保材料在加熱過程中受熱均勻，從而提高         熱處理效果。

6、本設(shè)備具有良好的熱傳遞性能，使得熱量能夠迅速且均勻地傳遞到材料內(nèi)部，提高加熱效率。