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MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀

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更新時間:2024-12-11 18:49:11瀏覽次數(shù):882

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產(chǎn)品簡介

產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 價格區(qū)間 5萬-10萬
應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,航空航天,電氣    
MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀將參考光路內(nèi)置于干涉儀中,將光學相干光路等集成在單個光電芯片上,一步實現(xiàn)激光干涉儀的線型測長和標定功能,從而簡化了干涉儀系統(tǒng)測試時的復雜程度。

詳細介紹

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀基于激光干涉原理,激光干涉儀是高精度、高靈敏度的測量儀器,廣泛應(yīng)用在先進制造領(lǐng)域。MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀采用了自主研發(fā)的高度集成化的激光傳感平臺,以工業(yè)應(yīng)用中最重要的線型標定為核心,將干涉儀的參考光路內(nèi)置于干涉儀中,將光學相干光路等集成在單個光電芯片上,一步實現(xiàn)激光干涉儀的線型測長和標定功能,從而簡化了干涉儀系統(tǒng)測試時的復雜程度。

MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀


MetriLiDAR MM-X系列微型激光干涉儀半導體典型應(yīng)用

●超高精度位置跟蹤應(yīng)用

在光刻過程中,分辨率是反映光刻機理論上可識別的最小特征尺寸的重要指標,也決定著運動系統(tǒng)的控制精度。由于整個曝光過程中要求系統(tǒng)以恒定的速度運行,對速度的均勻性要求較高,因此對控制的精度的要求更為苛刻,通常情況下,勻速性由跟蹤誤差反映,無掩模掃描式光刻系統(tǒng)的控制要滿足納米級精度, 工件臺自身的控制也要求達到該數(shù)量級,并且工件臺控制系統(tǒng)的跟蹤定位精度也是影響套刻精度的重要因素,預防反復曝光芯片刻蝕過程中,發(fā)生偏離導致電路圖案扭曲影響芯片性能。


l  平面檢測

在光刻測量過程中,硅片在高速運動情況下,容易發(fā)生形變,從而影響硅片的平面度,降低光刻精度。為了優(yōu)化硅片平臺的操作模式,需要一種納米級超高精度、無接觸的形變量測量方式。



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