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西安立鼎光電科技有限公司
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當前位置:西安立鼎光電科技有限公司>>銦鎵砷短波探測器>>640×512InGaAs探測器>> LD-FPA-640x512640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

參  考  價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號LD-FPA-640x512

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

更新時間:2025-02-11 15:02:34瀏覽次數(shù):527次

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640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器,此InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm/1100nm-1900nm/1200nm-2200nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù),尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案,CLPT的核心技術(shù)是實現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCD與CMOS數(shù)碼相機銷售商的機械設(shè)計。

LD-FPA-640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器


640x512分辨率銦鎵砷InGaAs探測器

西安立鼎光電科技有限公司提供高品質(zhì)InGaAs短波探測器,產(chǎn)品從點元探測器到面陣探測器,質(zhì)量可靠,價格合理,得到世界客戶的廣泛認可和應(yīng)用。

InGaAs短波焦平面探測器產(chǎn)品應(yīng)用在近紅外成像和光譜技術(shù)成像上,包括非制冷型(無TEC)和制冷型(TEC)型。產(chǎn)品應(yīng)用穩(wěn)定成熟的工藝,并已實現(xiàn)量產(chǎn)。該產(chǎn)品選用常規(guī)封裝,便于CCD與CMOS相機集成商的機械設(shè)備;集成嵌入式TEC進一步提高了探測器的靈敏度,并通過密閉金屬封裝來實現(xiàn)其高可靠性。

產(chǎn)品型號

InGaAs面陣探測器的響應(yīng)波段為900-1700nm/2200nm,目前可提供320x256640x512陣列。此陣列探測器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合,同時采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

型號

FPA0640P15F-17-C

FPA0640P15F-17-T1/T2

FPA0640P15F-1.9-T2

FPA0640P15F-2.2-T2

FPA-640×512-K

材料

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

響應(yīng)波段

0.9um-1.7um

0.6um-1.7um

0.9um-1.7um

1.1–1.9 um

1.2um-2.2um

0.9um-1.7um

圖像分辨率

640×512

640×512

640×512

640×512

640×512

像元尺寸

15um

15um

15um

15um

25um

靶面尺寸

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

9.6mm×7.68mm

16mm×12.8mm

封裝

64-pin CLCC

28-pin SDIP Package

28-pin SDIP Package

28-pin Metal

SDIP Package

28-pin MDIP

重量

1.7g

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

19.5g(±0.5)

24.6g/24.467g

有效像元率

>99.5%

>99.5%

>99%

98%

>99%

暗電流

≤30fA

≤20fA

≤100 fA

≤25fA

≤0.2pA

量子效率

≥70%

≥70%

≥ 70%

60%

≥70%

響應(yīng)非均勻性

≤2%

≤2%

≤4%

≤4%

≤2%

非線性(最大偏差)

≤5%

≤5%

≤10%

≤10%

≤10%

增益

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High:46.2uV/e- Low:1.39uV/e-

High: 46.2 uV/e –

Low:1.39uV/e-

High:99.9uV/e- Low:1.33uV/e-

High:23.6uV/e- Low:1.26 uV/e-

滿阱容量

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me- Low:1.38Me-

High:0.041Me-

Low:1.38Me-

High:0.019Me- Low:1.440Me-

High:0.118Me- Low:1.9Me-

TEC制冷

非制冷

TE1/TE2/非制冷

TE2

TE2

TE1/TE2

工作溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-20℃—+85℃

儲存溫度

-40℃—+70℃

-40℃—+70℃

-40℃—+80℃

-40℃—+70℃

-40℃—+85℃

功耗

200mw

200mw**

200mw  

200mw    

325mw**

注:**不帶制冷




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