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硅APD探测模块 SPDSi
上海屹持光电单光子计数?？?/span>SPDSi是基于Si-APD的超灵敏光电探测器。探测波段覆盖200 -1060 nm，可工作在线性模式和盖革模式。盖革模式下增益超过60 dB。SPDSi*的高性能主动抑制电路，可以实现连续的单光子探测，并且可加载任意宽度和周期的探测门。该电路实现了大于20 dB的雪崩抑制，从而将Si APD的性能发挥到优秀状态。在700 nm波段的探测效率超过60%，暗计数200-2000 cps，死时间小于50 ns。
SPDSi标准型号的有效光敏探测面积最高可达500 um，单光子计数信号在模块内部转化为数字TTL信号，并通过SMA接口送出。高度集成的?？榛杓票阌?/span>OEM应用和工业集成。
APD通过?？槟诓恐评涔ぷ髟?/span>-20 ℃的低温环境下，以获得优秀的信噪比。制冷?？橛筛咝У?/span>TEC控制。控制精度可达±0.2 ℃。
技术特点：
高探测效率：65%@700 nm； 500 um光敏面积；
TTL数字信号输出； 低暗计数；
低后脉冲； 低时间抖动；
应用领域：
荧光测量； 激光测距；
量子通信； 光谱测量；
光子关联； 自适应光学；
Fig1. 量子效率 Fig2. Si单光子探测器
Fig3. Si单光子探测器结构图
产品参数：
参数规格 参数 | 值 | 单位 |
供电电压*1 | 22 -28 | V |
供电电流 | 0.5 | A |
光谱响应范围 | 200 ----1060 | nm |
探测效率 @200 nm @700 nm @850 nm @1060 nm |
2 65 45 3 | % |
暗计数 | 200 -2000 | cps |
死时间 | 50 | ns |
后脉冲 | 3 - 8 | % |
时间抖动 | 300 - 500 | ps |
饱和计数率*2 | 10 | Mcps |
光敏面积 | 500 | um |
APD制冷温度 | -20 | ℃ |
工作温度 | -15 - +50 | ℃ |
输出信号电平 | LVTTL | |
输出信号脉宽 | 530 | ns |
门脉冲输入电平 Disable=LVTTL low Enable=LVTTL high |
0-0.4 2 -3.3 | V |
产品说明：
1. 不正确的电压可能损坏?？椋ΡＶそ尤氲缭床桓哂?8V，并可提供足够电流。
2. APD属于高灵敏光电探测器件，在雪崩状态下应控制输入光信号强度，过高的光强可能损坏APD，这种损害可能降低APD的探测灵敏度，严重时甚至会造成二极管击穿。
3. 在特殊的应用场景下，应保证?？榈墓ぷ魑露炔怀?0 ℃，过高的温度可能导致APD工作温度上升，从而引起暗计数水平升高。
4. SPDSi的默认死时间为50ns。死时间设定会影响?？榈淖畲蠹剖?，当死时间设定在50ns时，最大计数率为10Mcps，如您的应用对死时间设定有特别要求，请在订购时与我们联系。
5. 同样，输出信号的脉宽也会影响最大计数率，典型脉宽为30 ns，如您的应用对输出信号有特别要求，请在订购时与我们联系。
6. SPDSi支持空间和光纤接口接入。
单光子探测器选型：
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