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目錄:廈門地坤科技有限公司>>機械機電設(shè)備>>>> ZTD-800B單晶硅爐

ZTD-800B單晶硅爐
  • ZTD-800B單晶硅爐
  • ZTD-800B單晶硅爐
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 廈門地坤
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 廈門市
屬性

產(chǎn)地類別:國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域:綜合

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更新時間:2021-11-03 12:25:03瀏覽次數(shù):1517評價

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產(chǎn)地類別 國產(chǎn) 應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐,坩堝尺寸18-22英寸,產(chǎn)量從60-130Kg,單晶硅棒直徑6.5-8英寸,設(shè)備高度為6.1-6.7米,主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。

ZTD-800B單晶硅爐

ZTD-900B單晶硅爐

ZTD-950B單晶硅爐

技術(shù)參數(shù):

型號

名稱

額定功率

額定溫度

主爐室尺寸

熔料重量

ZTD-800B

單晶硅爐

140KW

1600℃

800×1050mm

60KG







ZTD-900B

單晶硅爐

160KW

1600℃

900×1050mm

90KG







ZTD-950B

單晶硅爐

180KW

1600℃

950×1050mm

130KG

設(shè)備用途:

ZTD-800B單晶硅爐為生產(chǎn)太陽能電池用的單晶爐,坩堝尺寸18-22英寸,產(chǎn)量從60-130Kg,單晶硅棒直徑6.5-8英寸,設(shè)備高度為6.1-6.7米,主要可生產(chǎn)主流8英寸單晶硅棒。

本公司可提供生長工藝,保證生長出合格的單晶硅。設(shè)有樣機,歡迎來人參觀考察。

圖片.png



ZR-12-10實驗用中溫真空爐

詳細(xì)描述:

采用箱式爐結(jié)構(gòu)爐柜一體化設(shè)計,適用高??蒲袉挝贿M行材料的真空或保護氣氛下的熱處理,爐內(nèi)設(shè)有一耐熱鋼爐罐,罐內(nèi)安裝有料臺及保溫層。

主要參數(shù)如下:

1.額定功率:12kw

2.爐罐內(nèi)尺寸:160*250*400mm

3.高溫度:1000度

4.極限真空度:<10Pa



ZR-12-11真空電阻加熱爐

設(shè)備用途:

本設(shè)備是用鎳鉻合金絲作發(fā)熱元件的實驗用內(nèi)熱式真空熱處理爐,爐體與控制柜一體化結(jié)構(gòu),臥式爐體,側(cè)面打開爐門,適用于金屬材料在高真空、中溫條件下進行回火、退火、釬焊、燒結(jié)、除氣處理,同時也適于金屬化合物的真空熱處理用。

設(shè)備特點:

整個設(shè)備為方形箱體結(jié)構(gòu),臥式爐體,裝取料方便;所有動作操作均在爐體正面操作完成,操作方便,集控制柜與爐體一體化結(jié)構(gòu),占地小,節(jié)約占地面積;耗水量少,使用方便,用戶只要水、電齊全就可以直接使用,集成安裝水、電、氣接口。

主要技術(shù)參數(shù):

1、額定功率:12KW

2、額定使用溫度:1100℃(氣氛保護下)

3、大有效加熱空間:Φ120×200㎜

4、冷態(tài)極限真空度:5×10-4 Pa

5、壓升率:≤2.0 Pa/h

6、電源:380V/50Hz

7、充氣介質(zhì):氬氣、氮氣或少量氫氣

8、大充氣壓力:<0.03MPa

9、控溫精度:±1℃



ZT-50-16晶體退火爐

用途:

真空晶體退火爐是用石墨作發(fā)熱元件的立式實驗用真空電阻爐,爐底裝料電動升降,供金屬化合物、陶瓷、無機化合物、納米材料等在真空或保護氣氛中燒結(jié)制品。

技術(shù)參數(shù):

1、型式:立式,底盤下沉

2、額定功率:50±10%Kw

3、電源電壓:三相  380V  50Hz

4、高溫度:1600℃

5、工作區(qū)尺寸:Φ300×300

6、升溫速率:15℃/min

7、恒溫區(qū)溫度均勻性:≤±10℃(1400℃)

8、冷態(tài)極限真空度:6.67×10-3Pa

9、工作真空度(空爐):5×10-2Pa

10、壓升率:≤2Pa/h

11、1路充氣管路,充氣冷卻

12、充氣壓力:<0.03MPa(相對壓力)

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