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 法國IBS IMC210中束流離子注入機(jī)

離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成，可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位，作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子，決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子，當(dāng)外來電子的能量高于原子的電離電位時(shí)，通過碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外，還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子，再經(jīng)過加速器獲得較高能量，由四級透鏡聚焦后進(jìn)入靶室，進(jìn)行離子注入。

離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備，離子注入是對半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù)，其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行   的控制，克服了常規(guī)工藝的限制，提高了電路的集成度、開啟速度、成品率和壽命，降低了成本和功耗。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝，可以滿足淺結(jié)、低溫和   控制等要求，已成為集成電路制造工藝中*的關(guān)鍵裝備。

特點(diǎn)：

l   控制離子束流

l   控制加速電壓

l占地小, 操作簡單, 運(yùn)行成本低

l特別適合于研發(fā)應(yīng)用

l適用于4”~6”晶片，小可用于1*1cm2樣品（室溫）

l4”熱注入模式，   溫度可達(dá)600度

l2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源，可使溫度達(dá)750度

l1個(gè)Bernas離子源

l非凡的鋁注入能力

l一個(gè)主氣箱，配有4個(gè)活性氣體管路；一個(gè)副氣箱，配有4個(gè)中性氣體管路

l高價(jià)樣品注入能力

l注入角0~15度

lIBS*的矢量掃描系統(tǒng)

l手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入，自動(dòng)25片cassette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室

l遠(yuǎn)程操作控制接觸屏（5米鏈接線纜）

l輻射低于0.6usv/hour

工藝性能

l2~210keV

l束流：4”晶片100keV時(shí)，大于900uA (As, P), 大于450uA (B)

l劑量范圍：1*1011*1018~at/cm2

l片內(nèi)非均勻性：1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅，注B，100kev，1*1014at/cm2

l片間均勻性：1s ≤ 1 %