Cr:ZnSe晶體, Fe:ZnSe晶體, Cr:YAG晶體

紅外激光晶體，Cr:ZnSe晶體, Fe:ZnSe晶體, Cr:YAG晶體

Cr：ZnSe是可調(diào)諧的，并且可以在1900 nm至3300 nm的寬波長范圍內(nèi)發(fā)射激光。硒化鉻鋅晶體的最大缺點(diǎn)可能是強(qiáng)大的熱透鏡效應(yīng)，這會(huì)限制功率。與市場上常見的多晶形式不同，3photon Cr：ZnSe是單晶的。

由于Fe:ZnSe材料壽命短，3photon建議將泵浦脈沖限制在數(shù)百納秒。硒化鐵鋅晶體可調(diào)諧，具有很寬的激光發(fā)射范圍，峰值約為4500nm（4.5μm）。Fe:ZnSe晶體作為可飽和吸收體（無源調(diào)制器）實(shí)現(xiàn)被動(dòng)調(diào)Q。3photon提供帶或不帶光學(xué)涂層的單晶Fe:ZnSe。

通常，Cr:YAG可以用直拉法生長。3photon能夠通過將Cr:YAG和Nd:YAG或Yb:YAG或其他晶體結(jié)合在一起，實(shí)現(xiàn)緊湊的擴(kuò)散晶體鍵合。

Cr:ZnSe晶體特點(diǎn)：

-吸收系數(shù)大；

-結(jié)構(gòu)：立方；

-尺寸：最大40 x 40 x 50毫米；

-發(fā)射范圍為1.9 – 3.3 µm；

-廣泛的增益帶寬> 500 nm；

-激發(fā)態(tài)（300 K）的壽命約為?5.5 µs；

-室溫下的高效性能；

-可用的密度數(shù)字濃度高達(dá)1020 cm^-3。

Cr:ZnSe晶體典型應(yīng)用：

-作為緊湊型激光系統(tǒng)中的增益材料；

-作為1450-2100 nm激光器的被動(dòng)調(diào)Q開關(guān)；

-中紅外（MIR）光參量振蕩器（OPO）泵浦源；

-光譜學(xué)

-紅外（IR）對(duì)策系統(tǒng)（艦船和飛機(jī)）；

Fe:ZnSe晶體特點(diǎn)：

-吸收系數(shù)大；

-結(jié)構(gòu)：立方；

-尺寸：最大40 x 40 x 50 mm；

-發(fā)射范圍為3.4µm–5.2µm；

-擴(kuò)展增益帶寬>500nm；

-室溫下的高效性能；

-可用各種密度值濃度。

Fe:ZnSe晶體典型應(yīng)用：

-作為緊湊型激光系統(tǒng)的增益材料；

-作為2800-3400nm激光器的被動(dòng)調(diào)Q開關(guān)；

-中紅外（MIR）光參量振蕩器（OPO）泵浦源；

-光譜學(xué)；

Fe:ZnSe晶體激光應(yīng)用：

Fe（ZnSe）晶體（可以說）是中紅外（MIR）優(yōu)良晶體之一，通常用于：

-連續(xù)波（CW）Fe：ZnSe激光器（既可以調(diào)諧也可以固定）

-增益切換（脈沖）Fe：ZnSe激光器（固定或可調(diào)）

-自由運(yùn)行的Fe：ZnSe激光器

Cr:YAG晶體特點(diǎn)：

-優(yōu)良的物理性能-抗紫外線，化學(xué)穩(wěn)定性好，導(dǎo)熱性好，損傷閾值高；

-高次諧波轉(zhuǎn)換；

-吸收截面大，峰值在1060nm左右；

-消除了高壓供電的必要性；

-使用Cr:YAG晶體自鎖模（KML）是可以實(shí)現(xiàn)的。

Cr:YAG晶體典型應(yīng)用：

-用于工作在1µm的激光器的被動(dòng)Q開關(guān)–摻釹（Nd）和鐿（Yb）的YAG、YAP、YLF和YVO4；

-被動(dòng)調(diào)Q激光器：激光指示器測距系統(tǒng)；光探測和測距（激光雷達(dá)）系統(tǒng)；激光誘導(dǎo)擊穿光譜（LIBS）系統(tǒng)。

-Cr:YAG也可用作1340-1600nm可調(diào)諧的激光晶體

Cr:ZnSe晶體, Fe:ZnSe晶體, Cr:YAG晶體