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GaTe 碲化镓晶体 (Gallium Telluride)
| 供货周期 | 现货 | 应用领域 | 环保,化工,能源,综合 |
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硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide)
晶体尺寸：~6毫米
电学性能：半导体
晶体结构：六边形
晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%
Stoichiometric analysis of a single crystal MoSSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).
Raman spectrum of a single crystal MoSSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.
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