產(chǎn)品展示

TE8000TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

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上海徐吉電氣有限公司
9879元
2023-10-26 15:48:29
上海市
上海寶山
2099

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

【簡(jiǎn)單介紹】

產(chǎn)地類別	國(guó)產(chǎn)	應(yīng)用領(lǐng)域	化工,石油,地礦,電子/電池,道路/軌道/船舶

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀是我公司吸收國(guó)內(nèi)外同類儀器的優(yōu)點(diǎn)，精心設(shè)計(jì)研制而成的一款能全自動(dòng)測(cè)試介質(zhì)損耗（tgδ）和電容量（Cx）的智能化儀器。TE8000*采用第四代抗干擾技術(shù)-全自動(dòng)反干擾源法，能夠在500KV及以下變電站等干擾強(qiáng)烈的場(chǎng)合準(zhǔn)確測(cè)量，*《DLT962-2005高壓介質(zhì)損耗測(cè)試儀通用技術(shù)條件》的相關(guān)要求。

【詳細(xì)說明】

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

產(chǎn)品特性

(1) 反干擾源：儀器先測(cè)量干擾電流的幅值和相位，然后在內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè)幅值相等、相位相反的反干擾信號(hào)來抵消干擾電流，從而有效消除現(xiàn)場(chǎng)干擾對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)的影響。實(shí)踐使用證明，該方法抗干擾效果優(yōu)于“倒相法”、“移相法”和“變頻法”。
(2) 整體屏蔽：采用雙層整體屏蔽機(jī)箱，能有效阻擋外界電磁干擾。采用高壓屏蔽軟電纜，可直接引至試品，測(cè)試安全方便，并有效消除了對(duì)地雜散電容的影響。
(3) 使用方便：可自由選擇輸出高壓，啟動(dòng)后全自動(dòng)升壓測(cè)試。采用中文菜單操作，測(cè)量電容值、介損值等顯示結(jié)果直觀。內(nèi)置的前換紙打印機(jī)能以中文模式打印記錄數(shù)據(jù)，換紙更加方便。
(4) 技術(shù)精良：全數(shù)字化，內(nèi)建精密數(shù)學(xué)模型。
(5) 精度高：具有較高的分辨率和精度，測(cè)試結(jié)果重復(fù)性好，配上標(biāo)準(zhǔn)油杯后，可測(cè)量絕緣油的介質(zhì)損耗因素。
(6) 通訊接口：留有“通訊接口”，其中包括RS232計(jì)算機(jī)接口方便地與筆記本電腦連接，進(jìn)行數(shù)據(jù)處理；和“JTAG在線編程接口”，可由筆記本電腦對(duì)儀器進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)在線編程，可對(duì)儀器不拆機(jī)進(jìn)行升級(jí)處理；使用時(shí)，必須配用接線座和軟件，本儀器不提供此配件。
(7) 數(shù)據(jù)記錄：儀器能記錄100組測(cè)試數(shù)據(jù)，以測(cè)試日期、時(shí)間的形式存儲(chǔ)，日后可調(diào)用查看或打印，有利于歷史數(shù)據(jù)的縱向比較和歷史臺(tái)帳的建立。
(8) 攜帶方便：采用一體化結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)合理，體積只有同類產(chǎn)品的1/2～2/3，攜帶十分方便。

TE8000抗干擾介質(zhì)損耗測(cè)試儀

技術(shù)參數(shù)

使用電源

本儀器使用220（1±10%）V，50（1±2%）Hz電源

使用環(huán)境

環(huán)境溫度：-10℃～40℃ 相對(duì)濕度：≤80%

外形尺寸

長(zhǎng)400mm*寬330mm*高395mm

質(zhì)量

20Kg

測(cè)試工作方式

正接法反接法抗干擾正接法抗干擾反接法

輸出功率

內(nèi)部高壓zui大容量：1.5KVA

輸出zui大電流：150mA

安全性能

絕緣電阻：電源對(duì)地≥2MΩ，高壓輸出對(duì)地≥50MΩ

交流耐壓：電源對(duì)地1500v耐壓1min，高壓輸出對(duì)地15KV耐壓1min，無飛弧和擊穿

抗干擾性能

| 干擾 / | 試品＜2，磁場(chǎng)干擾＜5高斯下滿足測(cè)試精度要求。

電容測(cè)量范圍

10KV： 0～40000pF

＜5KV: 0～0.1μF

電容zui小分辨率

0.001pF

電容精度

正接 ±（2%讀數(shù)+2pF）

反接 ±（2%讀數(shù)+10pF）

電壓輸出

范圍：1KV、1.5KV、2KV、2.5KV、3KV、5KV、7.5KV、10KV

失真度：＜2%THD（10KV下線性負(fù)載）

精度：±（1%讀數(shù)+10V）

介損測(cè)量范圍

0～50%

介損測(cè)量精度

測(cè)試內(nèi)容	電容量范圍（Cx）	試品類型	基本誤差
介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ	200pF～40000pF	非接地	±（2%讀數(shù)+0.0005）
	200pF～40000pF	接地	±（2%讀數(shù)+0.0010）
	10pF～200pF或40000pF以上	非接地	±（2%讀數(shù)+0.0010）
	10pF～200pF或40000pF以上	接地	±（2%讀數(shù)+0.0020）
	3pF～10pF	非接地與接地	±（2%讀數(shù)+0.0020）


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