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简介
PHI Quantes 双扫描XPS探针是以Quantera II系统为基础，进行技术升级后得到的全新版本。PHI Quantes的主要突出特点，是拥有世界独.创的同焦Al Ka和Cr Ka的双扫描X射线源；相比常规的Al Ka X射线源，能量高达5.4 KeV的Cr Ka作为硬X射线源，一方面可以探测到表面更深度的信息，另一方面还可得到更宽能量范围的能谱信息，使光电子能谱数据资讯达到更内部、更深层和更寛能量的结果。Quantes是一套技术成熟的高性能XPS系统，在未来表面科学研究中将发挥至关重要的作用。
优势
样品表面更深的深度信息
Cr Ka和Al Ka激发的光电子具有不同的非弹性平均自由程，因此可以探测到不同的深度信息，一般的预期是Cr Ka数据中深度讯息会比Al Ka深三倍，使Quantes的分析能力得到重大的提升。
如上图可见Cr Ka的非弹性自由层的深度是Al Ka的三倍。
如上图左，使用Al Ka测试一SiO2 10nm厚样式基本只看到表面的氧化硅；而在右图所示在使用Cr Ka分析同一样品可同时侦测出表面氧化硅和深度10nm后更深金属硅的讯号。
探测高结合能的内层电子和更寛的XPS能谱
当内层电子的结合能高于1.5 KeV而小于5.4 KeV时，该层电子无法被Al Ka X射线激发产生光电子，但是却能被Cr Ka X射线激发产生光电子。因此，使用Cr Ka能够在激发更内层光电子的同时得到能量范围更宽的光电子能谱（如下图）。
特点
PHI Quantes设备双单色光源的示意图
双单色化的X射线源，Cr Ka（4 KeV）和Al Ka（1.5 KeV）
Cr Ka分析深度是Al Ka的三倍
如上图，PHI Quantes双光源都可扫描聚焦的同时定位可保证为*一致
Cr Ka与Al Ka双X射线源能够实现同点分析
技术成熟的双束电荷中和技术
Cr Ka 定量灵敏因子
可选配件
样品定位系统（SPS）
樣品處理室（Preparation chamber）
冷／热變溫样品台
团簇离子源 GCIB
应用实例分析
例一：金属氧化物Fe-Cr合金分析
光电子能谱图中，有时会出现X光激发产生的光电子与某些俄歇电子能量范围重合的情况。例如在探测Fe-Cr合金全谱时，PHI Quantes可以一鍵切换Cr Ka与Al Ka X射线源，那么光电子与俄歇电子就能够在全谱中很好的区分开（如下圖）。
如下圖，尽管在Fe2p和Cr2p的精细谱中，Al Ka得到的Fe2p与俄歇电子谱峰稍有重叠，但是根据不同的深度信息，我们依然可以发现Fe和Cr的氧化物只存在于样品的表面。详细研究Fe和Cr之间的氧化物含量可能导致氧化物厚度或深度的差异。
例二: 褪色的铜电极分析
如下图中光学显微镜下，可以观察到铜电极產品上颜色发生了变化，以此定位分析点A/B和a/b。再使用 PHI Quantes 对样品这买个区域做分析。
使用PHI Quantes分析此样品得到上图的结果，当中 Cr Ka在（A,B）两个分析区域结果Cu2+和Cu+组成比例有明显的不同。但是在使用Al Ka分析（a,b）两区域时，Cu2+和Cu+化学态和组成比基本没有明显的差别。
这个结果表明：在亮暗区域，Cu主要以Cu2O形式存在。但是，用Cr Ka探测到暗处有更多的CuO，说明CuO更多的存在于Cu2O的下面。
例三: 多层薄膜分析
如下图，对一多层薄膜使用PHI Quantes分析，留意图中所标示在不同X射线源(Al Ka & Cr Ka)和不同样品测试倾角时，使用了蓝/绿/红示意出XPS分析深度的不同。
如以左上图蓝/绿/红图谱结果中可见，只有通过PHI Quantes Cr Ka分析才可以直接透过XPS探测到14nm的Y2O3层下面的Cr层Cr2p信息。而右上图曲线拟合结果也可以用来研究Cr的化学状态。通过研究Cr Ka 在90°和30°入射得到的谱图可知，Cr氧化物是存在在Y2O3和Cr之间的界面。
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