GKS2P5C1H压力变送器基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变小）再激励电压信号输出，经过计算机温度补偿、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。

GKS2P5C1H压力变送器基本原理是利用半导体的压阻效应和微机械加工技术，在单晶硅片的特定晶向上，用光刻、扩散等半导体工艺制做一惠斯登电桥，形成敏感膜片，当受到外力作用时产生微应变，电阻率发生变化，使桥臂电阻发生变化（一对变大一对变?。┰偌だ缪剐藕攀涑觯扑慊露炔钩?、激光调阻、信号放大等处理手段和严格的装配检测、标定等工艺，生产出具有标准输出信号的压力变送器。

GKS2P5C1H压力变送器采用扩散硅芯体作为压力检测元件， 采用微熔技术，利用高温玻璃将微加工硅压敏电阻熔化在不锈钢膜片上。

玻璃粘接工艺避免了温度、湿度、机械疲劳和介质对胶水和材料影响，从而提高了传感器在工业环境中的长期稳定性能。该系列油压变送器也属于扩散硅压力变送器的一类。

GKS2P5C1H压力变送器技术参数：

测量介质： 气体、液体、油等与316兼容的介质

测量范围：G:0~0.15～41370Kpa A：0~6.2～6890Kpa

精度等级：0.1%、0.2%、0.5%

过载能力：量程的1.5～5倍

长期稳定性：小于0.3%FS/年

供电电源：15～36 VDC（标定电压24VDC）

输出信号：（4～20）mA（二/三线制）、带Hart协议

显示方式：指针表头或数字显示可选配

校准：通过调节精密电位器实现对零点、量程调节

工作温度：工作温度：（-40～80）℃； 补偿温度：（-20～70）℃ ；放大器工作在-29℃-+93℃； 敏感元件工作在-40℃-+104℃

过程连接：M20×1.5外螺纹（Ф3内孔）或用户注明

隔离膜片材料：电容式

外壳材料：316 不锈钢

等级：

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