13
當(dāng)前位置：上海添時科學(xué)儀器有限公司>>技術(shù)文章>>Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索
Idea-Cu薄膜蒸鍍厚度探索
使用GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si片上蒸鍍Cu，探索設(shè)備蒸鍍膜厚大及小值。
實驗過程：
圖1設(shè)備 圖2蒸發(fā)料
原料：銅段（蒸發(fā)料，銅導(dǎo)線內(nèi)芯），Si基底（酒精超聲清洗30min，后使用去離子水超聲清洗30min，真空烘箱70℃烘干）。使用分子泵抽真空，待真空度到達100時，利用氮氣對腔室進行洗氣三至四次。洗氣結(jié)束，待分子泵抽真空至10-4Torr，開始給爐子加熱，升溫曲線0.6℃/s，升溫至相應(yīng)溫度，玻璃罩出現(xiàn)金屬色后打開擋板蒸鍍。
實驗結(jié)果如下：
目的 | 組別 | 蒸鍍條件 （溫度、時間） | 鍍膜前 | 鍍膜后 | 膜厚 |
薄 | 1 | 1250℃、10s |
|
|
|
2 | 1200℃、10s |
|
|
| |
3 | 1200℃、3s |
|
|
| |
厚 | 4 | 1200℃、60min |
|
|
|
5 | 1200℃、30min |
|
|
|
結(jié)論：
1、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，薄（膜厚儀可檢測）可蒸鍍至14.8nm
2、GSL-1700X-SPC-2設(shè)備在Si基底上鍍Cu，厚（起皮前）可蒸鍍至37.72μm
特別聲明：
1. 以上所有實驗僅為初步探究，僅供參考。由于我們水平有限，錯誤疏漏之處歡迎指出，我們非常期待您的建議。
2. 歡迎您提出其他實驗思路，我們來驗證。
3. 以上實驗案例及數(shù)據(jù)只針對科晶設(shè)備，不具有普遍性。
4. 因為涉及保密問題，以上數(shù)據(jù)僅為部分數(shù)據(jù)，歡迎老師與我們聯(lián)系，我們非常期待和您共同探討設(shè)備的應(yīng)用技術(shù)。