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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的 物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗 和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法， 并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-c所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷，還有復(fù)合材料等的一項(xiàng)重要的 物理性質(zhì)，通過(guò)測(cè)定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)（ε），可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗 和介電常數(shù)的各種因素，為提高材料的性能提供依據(jù)；儀器的基本原理是采用高頻諧振法， 并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗測(cè)試。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：我公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀，如需請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在 內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：我公司專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)介電常數(shù)測(cè)試儀，如需請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-C所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板，薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含量, 硬化程度, 溶劑殘留等因素會(huì)造成介電特性的偏差, 傳統(tǒng)測(cè)量方法樣品制作不易, 尤其是薄膜樣品( 小于 10 mil) 量測(cè)值偏低,。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：我公司生產(chǎn)、銷(xiāo)售介電常數(shù)測(cè)試儀。如有需要請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：我公司生產(chǎn)高頻、低頻、液體、固體介電常數(shù)測(cè)試儀，符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006 測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法。頻率范圍在：20KHz-60MHz/200KHz-160MHz。*，如需請(qǐng)致電詳談。 產(chǎn)品型號(hào)：所在地：北京市海淀區(qū) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-c所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-C所在地：報(bào)價(jià) 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：GDAT-A所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat---a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-c所在地：北京 參考價(jià)：面議
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詳細(xì)摘要：介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法 產(chǎn)品型號(hào)：gdat-a所在地：北京 參考價(jià)：面議
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