被合成的MoSe2多為二維片層結(jié)構(gòu),其他如管狀.棒狀等納米結(jié)構(gòu)多以模板法合成。在MoSe2片層結(jié)構(gòu)的基礎上,在非模板法的前提下通過簡單的一步溶劑熱合成了納米片層堆疊的三維的一種花球結(jié)構(gòu),三維結(jié)構(gòu)的構(gòu)建提高了材料的穩(wěn)定性,并且合成的花球為內(nèi)部中空結(jié)構(gòu),中空結(jié)構(gòu)又提供了更多的活性位點,同時有利于電解液的滲透和迅速的離子交換,提高了MoSe2材料的電化學性能。

片層堆疊的花球結(jié)構(gòu)的二硒化鉬超級電容器電極材料制備方法;(1)室溫下,量取過氧化氫加入到鉬粉中,鉬粉溶解;(2)量取水合冊加入到硒粉中,硒粉溶解;(3)量取N,N-二甲基甲酰胺加入到步驟(1)的溶液中;(4)將步驟(3)得到的均勻溶液轉(zhuǎn)移至反應釜中繼續(xù)攪拌,在攪拌條件下,將步驟(⑵)得到的溶液加入到以上反應釜中,混合磁力攪拌:(5)將反應釜置于烘箱中160~200℃反應,然后冷卻至室溫得到反應產(chǎn)物;產(chǎn)物抽濾、洗滌、干燥得到片層堆疊的花球結(jié)構(gòu)的MoSez用常片法制作成電極。電極比容量在1A/g條件下有286.6F/g,在2A/g條件下有268.8F/g。

二硒化釩摻雜鈷化物

二硒化鉬修飾二維氮化碳

二硒化鉬負載噻吩

二硒化鎢負載喜樹堿

聚多巴胺修飾二硒化鉬

PEG-MoSe2聚乙二醇修飾二硒化鉬

瑞禧WFF.2022.7