晶體是各向異性的均勻物體。的晶體，外觀上往往呈現(xiàn)某種對稱性。從微觀來看，組成晶體的原子在空間呈重復(fù)排列。即以晶體中的原子或其集合為基點，在空間中三個不共面的方向上，各按一定的點陣，不斷重復(fù)出現(xiàn)。如從重復(fù)出現(xiàn)的每個基元中各取某一相當點，則這些點合在一起形成一個空間點陣的一部分。確切地說，點陣是一組按連接其中兩點的矢量進行平移后而能復(fù)原的點的重復(fù)排列。

晶體大小：可定制

晶體：Magnetic semiconductor，紅外半導(dǎo)體，拓撲材料，熱電材料

表征方法：EDS，SEM，Raman

bandgap：0.4 eV

規(guī)格：注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。

包裝：凈袋真空包裝

傳導(dǎo)類型：N型；半絕緣型

晶體方式： CVT 化學(xué)氣相傳輸法

拋向：單拋或雙拋

可用表面積：> 90%

瑞禧定制供應(yīng)WSe2 二硒化鎢、WTaSe4 鎢鉭硒晶體、WTe2 碲化鎢、Zr5Te4晶體、ZrGeTe4晶體、ZrS2 二硫化鋯、ZrS3 三硫化鋯、ZrSe2 二硒化鋯、ZrSe3 三硒化鋯、ZrTe3 拓撲絕緣體、ZrTe5晶體、α-MoO3 晶體、摻釩(V)MoSe2晶體 MoVSe4、摻錸(Re) WSe2晶體 WReSe4、摻錸(Re)MoSe2晶體 MoReSe4、摻鉬（Mo：25%) WSe2晶體 MoWSe4、摻鈮(Nb)MoS2晶體 MoNbS4、摻鈮(Nb)MoSe2晶體 MoNbSe4、摻鈮（Nb）WSe2晶體 WNbSe4、摻鎳(Ni)MoSe2晶體、摻鉭(Ta)MoSe2晶體 MoTaSe4、摻鐵(Fe)MoSe2晶體、摻鎢(W)MoSe2晶體 MoWSe4、摻雜Co Bi2Se3晶體、Bi2O2Se、BiSe 、Cr2Si2Te6 、CuCrP2S6、CuIn7Se11、FePS3 、Ni2SiTe4、PbSnSe2、Si2CuP3 、SnS  硫化亞錫、ZrGeTe4、Ag2Te粉體、Cr2Ge2Te6、PbSnS2 、PdSe2粉體 二硒化鈀、碲單晶 Te Crystal、GeTe晶體、HfS2 硫化鉿、HfS3晶體、HfSe2 硒化鉿、HfTe2 碲化鉿晶體、HfTe5晶體、HgPSe3晶體、In2GaBi2S6晶體、In2P3S9晶體、In2P3Se9 晶體、In2Se3 硒化銦晶體 α-2H相、In2Te5晶體、In3SbTe2晶體、InBiSe3 晶體 摻銦 Bi2Se3 晶體、InBi晶體、InGaS3 晶體、InSb晶體、InSe 硒化銦 （β相）、InSiTe3晶體、MnBi2Se4 晶體、MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體、MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體、MnPS3 晶體、MnPSe3 晶體、MnSb2Te4 晶體、Mo0.75W0.25Se2晶體、Mo0.95W0.05Se2晶體、Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體、Ni2SiTe4晶體、NiCoSe2晶體、NiI2 碘化鎳晶體、FeSe2納米棒 、FeSe2納米球、FeSe2納米管、Ag2Te晶體、Ag3Sb晶體、AgInP2S6晶體、AgInP2Se6晶體、AgTaS3晶體、Bi2O2Se 硒氧鉍晶體、Bi2Se3 硒化鉍、Bi4Pb7Se13晶體、BiI3碘化鉍晶體、BiOCl晶體 氯氧化鉍晶體、BiSe 晶體、BiTe晶體、Bi單晶 Bi晶體 鉍、CdI2晶體、CdPS3 晶體、Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體、CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體、CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體。

來自小編瑞禧YQ2021.5