原装P+F传感器NBB20-L2-A2-V1现货
可限制危险能量进入具爆炸性危险气体环境的可靠设备。P+F安全栅结构与外型尺寸P+F安全栅采用两种不同的外型和安装尺寸，外壳由阻燃防弧塑料压制成型，整个安全栅电路以阻燃环氧树脂封装在壳体内，各端子间的爬电距离、电气间隙及材料的相对泄痕指数均符合GB 3836.4中的有关规定。

德国*P+F传感器，维特锐集团，天津总经销

 

倍加福槽型光电传感器

 

倍加福所有的光电传感器系列在参数化设置过程中均具有直观且相同的外观界面。通过多圈电位计和按钮可简单快速地调节传感器，该功能可通过由三个LED屏组成的操作元件来实现可视化配置、状态和诊断。在以上所有系列中，用户将受益于标准化的可用性，即用户为R100、R101或R103系列设置对射型传感器、反射板型传感器或漫反射式传感器的参数化界面外观与R200和R201的设计相同。这也适用于具有多个开关点或距离传感器的测量设备。

 

P+F传感器主要型号如下：

NBN30-U1-E2
NBN3-F25-Z8-V1+BT32-F25-0
NBN3-U1-A0
NBN40-L2-E0-V1
NBN40-L2-E2-V1
NBN40-L2-Z0-V1
NBN40-U1-A2
NBN40-U1-E2(NCN40+U1+E2)
NBN40-UIK-N0
NBN4-12GM40-Z0
NBN4-12GM40-Z0-V1
NBN4-12GM50-E0
NBN4-12GM50-E0-V1
NBB10-30GM50-E0
NBB10-30GM50-E2
NBB10-30GM50-E2
NBB1.5-8GM40-E2-V1
NBB1.5-8GM50-E0
NBB1.5-8GM50-E2
NBB1.5-F79-E0
NBB15-30GM50-E2
NBB15-30GM50-E2-V1
NBB10-30GM50-E2
NBB10-30GM50-E2-V1
NBB15-30GM50-WO
NBB15-30GM50-WS
NBB15-U1-A2

 

 

光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。

 

通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。 
光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。
光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。

 

 

 

如需详细了解请点击：德国P+F传感器系列产品