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技術(shù)文章

美國TI驅(qū)動器DRV835X具有哪些特點

閱讀:1075          發(fā)布時間:2020-11-12

美國TI具有保護,感測或電源管理功能的集成MOSFET和柵極驅(qū)動器解決方案。借助集成的FET解決方案,我們的電機驅(qū)動器可提供有效的開關(guān)和電流控制,以大程度地提高單個芯片的輸出電流能力。智能柵極驅(qū)動器集成了無源組件,以減小電路板尺寸,設(shè)計復(fù)雜性和成本,支持可調(diào)節(jié)的柵極驅(qū)動電流,靈活的MOSFET選擇,效率,低EMI和小的電路板空間。

DRV835x美國TI驅(qū)動器產(chǎn)品特點如下:

9至100V,三重半橋變頻器驅(qū)動器

集成降壓穩(wěn)壓器
所謂的三路低端電流并聯(lián)放大器
智能門驅(qū)動架構(gòu)
可調(diào)擺率控制以實現(xiàn)EMI性能
V GS握手和少的死區(qū)時間插入以防止直通
50mA至1A初始源電流
100mA至2A的前置灌電流
通過強大的降低降低dV / dt
集成式螺桿驅(qū)動器電源
倍壓系數(shù)泵,用于100%PWM轉(zhuǎn)矩控制
低側(cè)線性穩(wěn)壓器
集成LM5008A降壓穩(wěn)壓??器
6至95V工作電壓范圍
2.5至75V,350mA輸出能力
集成三路電流分流放大器
可調(diào)增益(5、10、20、40 V / V)
雙向或單向支持
6x,3x,1x和獨立PWM模式
支持120°感應(yīng)操作
提供SPI或硬件接口
低功耗睡眠模式(V VM = 48V時為20 µA )
集成保護功能
VM欠壓鎖定(UVLO)
無人機驅(qū)動器電源欠壓(GDUV)
MOSFET V DS過流保護(OCP)
防止MOSFET擊穿
門驅(qū)動器故障(GDF)
熱警告和關(guān)閉(OTW / OTSD)
故障狀態(tài)指示燈(nFAULT)

美國TI  DRV835x系列設(shè)備是用于三相無刷直流(BLDC)電機應(yīng)用的高度集成的柵極驅(qū)動器。這些應(yīng)用包括BLDC電機的磁場定向控制(FOC),正弦電流控制和梯形電流控制。器件變體提供可選的集成電流分流放大器,以支持不同的電機控制方案,并提供降壓調(diào)節(jié)器來為柵極驅(qū)動器或外部控制器供電。

美國TI  DRV835x采用智能柵極驅(qū)動(SGD)架構(gòu),以減少MOSFET擺率控制和保護電路通常必需的外部組件數(shù)量。SGD架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時間,以防止直通情況,通過MOSFET壓擺率控制提供降低電磁干擾(EMI)的靈活性,并通過V GS監(jiān)控器防止柵極短路情況。強大的柵極下拉電路有助于防止不必要的dV / dt寄生柵極導(dǎo)通事件

支持各種PWM控制模式(6x,3x,1x和獨立),以簡化與外部控制器的接口。這些模式可以減少電機驅(qū)動器PWM控制信號所需的控制器輸出數(shù)量。該器件系列還包括1x PWM模式,可通過使用內(nèi)部塊換向表對BLDC電機進行簡單的感應(yīng)梯形控制。

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