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半導體激光器與氦氖激光的對比

波長越短測量精度越高。氦氖激光波長632.8納米，顯然優(yōu)于半導體激光635納米和650納米。

　　氦氖激光線寬窄穩(wěn)定性高在諸多激光器中是的，這已經(jīng)是光學界的共識。

　　半導體激光器的線寬在各種激光器中是zui寬的，可以達到幾十至幾百cm-1，也就是說半導體激光器的單色性是zui差的。

　　從激光原理看，激光發(fā)光與躍遷能級差有關，發(fā)光的波長與能級差的關系可以描述為ΔΕ=hν=hс/λ式中h為普朗克常數(shù)，ν為波數(shù)，c為光速，λ為波長，ΔΕ=E2-E1是上下能級之差。

　　半導體激光除了波長長，線寬寬，單色性差以外還有溫度穩(wěn)定性差的突出缺點，所以很少用于計量與測試。它的優(yōu)點是工作電壓低、體積小、轉(zhuǎn)換效率高。因此可以廣泛用于對單色性要求不高的工業(yè)與民用場合。

　　氦氖激光受激發(fā)射是在原子的能級之間躍遷是一個定值，因此波長λ也是一定的。

　　但是，半導體激光是電子在能帶之間躍遷，能帶本身有一個寬度，設電子低能態(tài)的能量為E1—E1 ΔE1之間，電子高能態(tài)E2—E2 ΔE2之間，躍遷能量ΔΕzui大值為E2-E1 ΔE2躍遷能量zui小值E2-E1-ΔE1。在此能量范圍之內(nèi)，發(fā)出的光波長當然也是不確定的。因此，半導體激光發(fā)出的波長是在一個范圍之內(nèi)的多種波長的光的集合。