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目錄:科睿設(shè)備有限公司>>鍍膜設(shè)備>> 在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
  • 在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
  • 在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 品牌 其他品牌
  • 型號(hào)
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 上海市
屬性

應(yīng)用領(lǐng)域:能源,電子/電池,電氣,綜合

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更新時(shí)間:2025-02-27 11:21:19瀏覽次數(shù):1234評(píng)價(jià)

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在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
高轉(zhuǎn)換效率
大容量吸收,電池可靠性長(zhǎng)達(dá)10年
抗輻射

在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)

儀器簡(jiǎn)介:

在線量產(chǎn)型磁控濺射鍍膜系統(tǒng)
·  高轉(zhuǎn)換效率
· 大容量吸收,電池可靠性長(zhǎng)達(dá)10年
· 抗輻射
· 低成本的基片和復(fù)合基片


技術(shù)參數(shù):

1. 真空腔體模塊
a. 主沉積腔, 1 SET
- 形狀 & 尺寸 : 前開門式 (Φ500 x H600 mm)
- 蒸發(fā)源口徑 : effusion cell 5 ea (CF4.5" 4ea, CF6" 1ea)
- 接口 : 可視窗 (帶擋板), 泵抽氣口, 前加熱器,表頭, 排空口, 基片擋板,  T/C 口, 樣品轉(zhuǎn)移口,高溫計(jì),備用 E-Cell port (CF4.5" 2ea), T/M 傳感器
- 外部水冷
-  內(nèi)部保護(hù)蓋
b. 樣品轉(zhuǎn)移腔
- 腔體: 前開門式(Φ150 x H200 mm)
- 基片夾具:  可夾100X100 mm2 基片
- 磁力桿傳送基片
- 接口: 泵,排空,表頭,可視窗,閥,備用etc.
- MFC(Ar 10,000 sccm) 和花傘噴淋吹掃

c. 基片樣品臺(tái)模塊, 1 SET
- 基片尺寸 : Φ150 mm (100X100 mm2 x 1片)
- 基片加熱模塊 : SiC加熱器 , 最高 700 ℃
- 基片加熱功率 (40A x 60V)
- 溫度顯示,溫度指示
- 前加熱器模塊
- 包括擋板
- Z軸移動(dòng), 轉(zhuǎn)動(dòng)

2. 真空模塊
a. 真空泵
 Rotary泵: 600 l/min,用于粗抽主樣品沉積腔
 冷凝泵, N2 2400 l/sec,用于高真空和沉積工作
b.  真空閥和泵的管道
 圓形閘板閥, 10 英寸,用于冷凝泵
 圓形閘板閥, 10 英寸,用于樣品轉(zhuǎn)移腔
 右角閥
 粗抽泵,用于樣品轉(zhuǎn)移腔
 高真空閥
 排空閥  
c. 真空測(cè)試
離子規(guī),用于主腔體高真空測(cè)試 , 1 set
 Convection計(jì), 用于主腔體粗抽低真空測(cè)試, 2 set
d. 膜厚監(jiān)控系統(tǒng)
 石英振蕩型沉積控制器,6通道,(CYGNUS controller)
 共沉積模式監(jiān)控 : 可測(cè)試 4個(gè)蒸發(fā)源
 共沉積速率模式監(jiān)控 : 可測(cè)試 4個(gè)蒸發(fā)源
 單個(gè)晶體傳感器: 4 set
 測(cè)試分辨率: 0.5 ?
 厚度顯示范圍: 0 to 999.9 k?
 厚度準(zhǔn)確度: 0.5%
 屏幕參數(shù)顯示

3. 蒸發(fā)源模塊
a. EFFUSION CELL SOURCE & 電源 : 4 SET
- 蒸發(fā)源 : Effusion cell ( for Cu, In,Ga,Se)

4. 系統(tǒng)控制模塊
- 手動(dòng)過程控制及可升級(jí)至自動(dòng)過程控制
- 硬件: PLC, PC
- 安全自鎖, 用于電路,壓縮氣體,冷卻水循環(huán),泵及閥,, etc
- 基片溫度顯示: 曲線圖和高溫計(jì), etc.
- 系統(tǒng)狀態(tài)顯示屏

5. 主機(jī)框架及控制柜
- 整體機(jī)器被可移動(dòng)的顯示屏罩著
- 框架下有可調(diào)節(jié)支腿- 電源 (壓力規(guī), 蒸發(fā)源的電源etc.)
- 19" 支架用于控制屏及控制器



主要特點(diǎn):

CIGS 沉積系統(tǒng)的主要特點(diǎn):
1. 沉積厚度: 可達(dá)幾個(gè)微米u(yù)p to several micron
2. 沉積材料: CIGS(Cu, In, Ga, Se), etc..
3. 膜厚均勻性: ≤ ± 5 % 在 100X100 mm2 基片上
4. 基片: Soda-lime glass, SUS foil, etc..
5. 沉積模式: 在基片加熱過程中,使用 Effusion cell 蒸鍍
6. 產(chǎn)量: 100X100 mm2 x 1sheet/ batch, 手動(dòng)
7. 真空度: 極限真空 3 x 10 -7 Torr
8. 真空腔: 樣品轉(zhuǎn)移腔和主沉積腔
9. 控制系統(tǒng): 基于 PLC and PC上的手動(dòng)操作
10. 目的: 研究及發(fā)展(R&D)


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