测量范围 | 电阻率：0.001～200Ω.cm（可扩展）；
方块电阻：0.01～2000Ω/□（可扩展）；
电导率：0.005～1000 s/cm；
电阻：0.001～200Ω.cm；
|
可测晶片厚度 | ≤3mm |
可测晶片直径 | 140mmX150mm（配S-2A型测试台）；
200mmX200mm（配S-2B型测试台）；
400mmX500mm（配S-2C型测试台）； |
恒流源 | 电流量程分为0.1mA、1mA、10mA、100mA四档，各档电流连续可调 |
数字电压表 | 量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
输入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1% ；
显示：四位半红色发光管数字显示；极性、超量程自动显示； |
四探针探头基本指标 | 间距：1±0.01mm；
针间绝缘电阻：≥1000MΩ；
机械游移率：≤0.3%；
探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；
探针压力：5～16 牛顿（总力）； |
四探针探头应用参数 | （见探头附带的合格证） |
模拟电阻测量相对误差
（ 按JJG508-87进行） | 0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字 |
整机测量zui大相对误差 | （用硅标样片：0.01-180Ω.cm测试）≤±4% |
整机测量标准不确定度 | ≤4% |
计算机通讯接口 | 并口 |
标准使用环境 | 温度：23±2℃；
相对湿度：≤65%；
无高频干扰；
无强光直射； |
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