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溝槽型SJNFET工藝渠道 華虹創(chuàng)造“中國芯”

時(shí)間:2016/6/3閱讀:3217
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綠色開展是中國政府“十三五”方案特征的開展理念之一,將變成推進(jìn)經(jīng)濟(jì)持續(xù)增長的新動(dòng)力。節(jié)能綠色商品的遍及將推進(jìn)綠色能源技能更廣泛的使用。作為開關(guān)電源、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)、新能源轎車和智能電網(wǎng)等電源體系的核心器材,功率半導(dǎo)體是下降功耗、進(jìn)步功率的要害。華虹半導(dǎo)體具有共同的、賦有競爭力的的溝槽型SJNFET技能渠道,能夠支撐500V至900V不同電壓等級的商品出產(chǎn)。其間的第二代SJNFET技能已完成量產(chǎn),器材功能到達(dá)業(yè)界*水平。具有更低導(dǎo)通電阻和更小芯片面積的第二代優(yōu)化版SJNFET技能渠道研制成功,現(xiàn)已面向客戶敞開。

  超級構(gòu)造造打破了傳統(tǒng)MOSFET器材導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的極限,在相同的封裝條件下能夠完成更低的導(dǎo)通阻抗和更快的開關(guān)頻率,能夠大幅改進(jìn)功率器材的功能。與傳統(tǒng)的多層外延型SJNFET技能比較,溝槽型構(gòu)造具有光刻層次少、構(gòu)造簡略、高溫特性好、制作周期短和功能提高潛力大等長處。

 

 

作為業(yè)界提供超級結(jié)技能渠道的晶圓代工企業(yè),華虹半導(dǎo)體并不停步于此,而是不斷創(chuàng)新升級,追求更低的導(dǎo)通電阻,更快的開關(guān)速度、更低的開關(guān)損耗、更小的芯片面積、更強(qiáng)的雪崩短路耐量和抗電磁干擾能力。本年方案推出具備更功能的新一代SJNFET技能渠道,進(jìn)一步鞏固公司在功率分立器材范疇的地位。

  華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表明:“華虹半導(dǎo)體已在功率器材范疇仔細(xì)耕耘十余載,SJNFET芯片累計(jì)出貨量超越10萬片是一個(gè)里程碑,真實(shí)踐行了創(chuàng)造“中國芯”的大企業(yè)職責(zé)。跟著“綠色時(shí)代”的到來,功率半導(dǎo)體將拓寬到消費(fèi)類、工業(yè)類及轎車類等更多的使用范疇,市場潛力無窮。而對高壓半導(dǎo)體解決方案需要的不斷添加,將使華虹半導(dǎo)體共同的SJNFET技能收獲頗豐。因而,咱們正在進(jìn)一步擴(kuò)大超級結(jié)商品的產(chǎn)能,以滿意日益增長的客戶需要。

 

 

 

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