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GaN薄膜
  • GaN薄膜

貨物所在地:安徽合肥市

更新時間:2025-01-16 21:00:07

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氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應(yīng)生成GaCl,而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。


產(chǎn)品名稱:

氮化鎵(GaN)薄膜

產(chǎn)品簡介:

氮化鎵Epitxial范本saphhire是提出了氫化物氣相外延(HVPE)的方法。在HVPE過程中,鹽酸反應(yīng)生成GaCl,而這又與氨反應(yīng)生成氮化鎵熔鎵。外延GaN的模板是成本效益的方法,以取代氮化鎵單晶基板。




 技術(shù)參數(shù):

常規(guī)尺寸

dia50.8±1mm  x 4um,10-25um.

dia100±1mm  x 4um,10-25um. <0001>±1° N型

注:可按客戶需求定制特殊堵塞方向和尺寸。

產(chǎn)品定位C軸<0001>±1°
傳導(dǎo)類型N型;半絕緣型;P型
電阻率R<0.05 Ohm-cm;半絕緣型R>106 Ohm-cm
位錯密度<1x108 Cm-2
表面處理(鎵面)AS Grown
有效值<1nm
可用表面積

>90%

標(biāo)準(zhǔn)包裝:

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

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