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晶體結構：

四方(4mm): 9^oC < T < 130.5 ^oC

a=3.99  ?,  c= 4.04 ? ,

生長方法：

頂部籽晶溶液法(TSSG)

熔點：

1600 ^oC

密度：

6.02 g/cm³

介電常數：

e_a = 3700, e_c = 135 (自由狀態(tài))

e_a = 2400, e _c = 60 (夾持狀態(tài))

折射率：

     515 nm        633 nm        800 nm

n_o   2.4921        2.4160        2.3681

n_e   2.4247        2.3630        2.3235

透射波長范圍：

0.45 ~ 6.30 mm

電光系數：

r^T ₁₃ =11.7 ±1.9 pm/V    r^T ₃₃ =112 ±10 pm/V

r^T ₄₂ =1920 ±180 pm/V

SPPC 反射率

(0度切 )：

l = 515 nm, 50 - 70 % (zui高達到77%)

l = 633 nm, 50 - 80 % (zui高達到86.8%)

二波混頻耦合常數:

10 - 40 cm^-1

吸收損耗:

l:   515 nm  633 nm   800 nm

a:  3.392cm^-1 0.268cm^-1  0.005cm^-1