對更強大、更快速的電子設備（智能手機、計算機、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動了集成電路（IC）芯片 和半導體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實現更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數量已經增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產量以及電子組件的性能和可 靠性產生負面影響。
在半導體加工過程中，需要使用光刻膠來對晶圓進行刻蝕。一旦刻蝕形成，就必須去除光刻膠以進行進一步的加工，但通常 會留下光刻膠殘留物和其他有機污染物。在晶圓、掩模、墊片和半導體組件的表面上可以發(fā)現許多不同類型的有機污染物。 典型的例子包括光刻膠殘留物、外來有機顆粒和液體、灰塵以及來自材料的纖維。另一個常見的有機污染源是人體頭發(fā)、皮 簡介 對更強大、更快速的電子設備（智能手機、計算機、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動了集成電路（IC）芯片 和半導體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實現更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數量已經增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產量以及電子組件的性能和可 靠性產生負面影響。 膚碎屑和來自皮膚的油脂物質。
因此，隨著半導體圖案尺寸的縮小和集成電路（IC）制造量的增加，晶圓表面上的光刻膠殘留物和有機污染物問題變得越來 越嚴重。IC的密度在增加，因此在生產過程中保持清潔表面至關重要。光學顯微鏡通常用于晶圓檢查，并且在生產過程中高 效地可視化少量殘留污染物方面，相比于明場或暗場等其他照明方法，熒光顯微鏡具有優(yōu)勢[4] 在半導體加工過程中，需要使用光刻膠來對晶圓進行刻蝕。一旦刻蝕形成，就必須去除光刻膠以進行進一步的加工，但通常 會留下光刻膠殘留物和其他有機污染物。在晶圓、掩模、墊片和半導體組件的表面上可以發(fā)現許多不同類型的有機污染物。 典型的例子包括光刻膠殘留物、外來有機顆粒和液體、灰塵以及來自材料的纖維。另一個常見的有機污染源是人體頭發(fā)、皮 簡介 對更強大、更快速的電子設備（智能手機、計算機、平板電腦、顯示器等）的需求不斷增長，這推動了集成電路（IC）芯片 和半導體組件的圖案尺寸縮小到10納米以下[1-3]。為了實現更小的納米級尺寸，紫外光刻圖案化步驟的數量已經增加，隨 之而來的是刻蝕過程中的缺陷和有機污染的可能性增加[2]。這種殘留污染可能對工藝控制、產量以及電子組件的性能和可 靠性產生負面影響。 膚碎屑和來自皮膚的油脂物質。 。
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